技术编号:7210859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及丰导体制造技术领城,特别涉及一种金属氧化物半导体晶体管(M()S)及其制造方法。技术背景随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、 更大的数据存储量以及更多的功能,半导体晶片朝向更高的元件密度、高集变得越来越细且长度变得较以往更短。为了避免短沟效应,目前采用轻掺杂 漏极(LDD)结构,通常称为延伸掺杂。图l为MOS器件轻掺杂漏极结构剖面 示意图。如图1所示,在半导体衬底100上形成栅极140之后,注入杂质离子170 形成轻掺...
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