技术编号：7211172
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种半导体叠层结构及其制 造方法。 背景技术当今半导体器件制造技术飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构， 集成电路中包含巨大数量的半导体元件。在如此大规模的集成电路中，元件 之间的高可靠、高密度的连接不仅要在单层中进行，而且需要在多层之间进 行横向和纵向的互连。因此，通常提供多个互连层连接结构，多个互连层互相堆叠，层间具有介电层，金属连接孔形成于其中，用于连接半导体元件。 图l为半导体器件及上层互连结构简化示意图。如图1所...
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