技术编号：7211333
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浮栅闪存器件的结构。背景技术现有的浮栅闪存器件的结构可参见图1所示，包括源极2和漏极1，在 所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述 浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4的上缘为 两端向上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52,所述 控制栅5的本体部分51位于所述浮栅的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52 的下缘为半弧形,所述控制栅5的覆盖部分52的将所述浮栅4的一半罩住。 进行"擦...
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