专利名称：浮栅闪存器件的结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种浮栅闪存器件的结构。
背景技术：
现有的浮栅闪存器件的结构可参见图1所示，包括源极2和漏极1，在 所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述 浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4的上缘为 两端向上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52,所述 控制栅5的本体部分51位于所述浮栅的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52 的下缘为半弧形,所述控制栅5的覆盖部分52的将所述浮栅4的一半罩住。 进行"擦"操作时，如图1中箭头所示，控制栅5接高电压，源极2和漏 极1接低电压，电子从浮栅4左边的尖端流入控制栅5。这种结构使得擦拭 的效率和耐用度不容易优化提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种浮栅闪存器件的结构，能够达 到擦拭效率更高，耐用度更好的效果。
为解决上述技术问题，本发明浮栅闪存器件的结构的技术方案是，包 括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控 制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅的上缘 为两端向上突起的弧形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分的完全罩住所 述浮栅，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
本发明通过采用控制栅完全将浮栅罩住的结构，使得擦拭效率提高了 一倍，耐用度更好。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1为现有的浮栅闪存器件的结构示意图2为本发明浮栅闪存器件的结构的示意图3为本发明浮栅闪存器件的结构的俯视图4一图8为制作本发明浮栅闪存器件的结构的示意图。
图中附图标记为，l.漏极；2.源极；3.二氧化硅层；4.浮栅；5.控制栅；51.控制栅本体部分；52.控制栅覆盖部分；6.硅氧化隔离区；7.多晶 硅；8.二氧化硅层；9.氮化硅层。
具体实施例方式
本发明浮栅闪存器件的结构可参见图2和图3所示，包括源极2和漏 极1，在所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅 5，所述浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4 的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分 52，所述控制栅5的本体部分51位于所述浮栅4的一侧，所述控制栅5的 覆盖部分52的完全罩住所述浮栅4，所述浮栅4与所述控制栅5的覆盖部 分52之间隔有二氧化硅。所述控制栅5的覆盖部分52的下缘为中间向上突起的弧形。
本发明通过上述结构，在进行擦拭操作时，控制栅5接高电压，源极2 和漏极1接低电压，电子从浮栅4两端的尖端流入控制栅5。与现有技术相 比，由于电子可以从浮栅4的两端流入控制栅5，因此使得擦拭的效率被提 高了一倍，并且由于分散了电子的行进路线，使得器件的耐用性更好。
本发明浮栅闪存器件的结构中，制作该浮栅的方法步骤包括
(1) 淀积多晶硅7，在所述多晶硅7上氧化生长二氧化硅8，之后淀 积氮化硅9，如图4所示；
(2) 光刻氮化硅9，使浮栅位置的氮化硅被刻蚀掉，露出二氧化硅层 8，如图5所示；
(3) 在被光刻掉氮化硅9的位置通过硅热氧化生长二氧化硅6，如图 6所示；
(4) 用化学药液刻蚀氮化硅层9以及第(1)步中生长的二氧化硅层 8，第(3)步中通过硅热氧化生长的二氧化硅6就形成硅氧化隔离区6，如 图7所示；
(5) 去掉没有被硅氧化隔离区6域覆盖的多晶硅7部分，最终形成 了上缘为两端向上突起的弧形的浮栅，如图8所示。
权利要求
1.一种浮栅闪存器件的结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，其特征在于，所述控制栅的覆盖部分的完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
2. 根据权利要求1所述的浮栅闪存器件的结构，其特征在于，所述控 制栅的覆盖部分的下缘为中间向上突起的弧形。
全文摘要
本发明公开了一种浮栅闪存器件的结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分的下缘为中间向上突起的弧形，所述控制栅的覆盖部分的完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。本发明通过采用控制栅完全将浮栅罩住的结构，使得擦拭效率提高了一倍，耐用度更好。
文档编号H01L29/66GK101202310SQ20061011940
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月11日 优先权日2006年12月11日
发明者居宇涵, 金勤海 申请人:上海华虹Nec电子有限公司