专利名称：浮栅闪存器件及浮栅的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种闪存器件的结构，尤其是一种浮栅闪存器件。本发明 还涉及一种浮栅闪存器件中浮栅的制作方法。
背景技术：
现有的浮栅闪存器件可参见图1所示，包括源极2和漏极1，在所述源 极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述浮栅4 与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4的上缘为两端向 上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述控制栅 5的本体部分51位于所述浮栅的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52的下缘 为半弧形，所述控制栅5的覆盖部分52的将所述浮栅4的一半罩住。进行 "擦"操作时，如图1中箭头所示，控制栅5接高电压，源极2和漏极1 接低电压，电子从浮栅4左边的尖端流入控制栅5。这种结构使得擦拭的效 率和耐用度不容易优化提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种浮栅闪存器件，能够达到擦拭 效率更高，耐用度更好的效果。
为解决上述技术问题，本发明浮栅闪存器件的技术方案是，包括源极 和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅， 所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的"凹"字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的"z"字形，所 述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述"z"字形控制栅的下部为本体部 分，所述"z"字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于
所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分完全罩住所述浮栅，所述浮栅与 所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种上述浮栅闪存器件中浮 栅的制作方法，其步骤简单，易于实现，制作出的浮栅能够达到擦拭效率 更高，耐用度更好的效果。
为解决上述技术问题，本发明浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，包括
如下步骤
(1) 淀积多晶硅，生长二氧化硅层，之后淀积氮化硅层；
(2) 干刻去掉浮栅位置区域的氮化硅；
(3) 干刻去除浮栅位置区域的二氧化硅，并且在多晶硅上位于浮栅位置 区域非垂直干刻出浅沟，所述浅沟的底部为平底的，侧壁具有坡度；
(4) 再次淀积二氧化硅填满浅沟；
(5) 化学机械研磨去除浮栅位置以外第(4)步淀积的二氧化硅，完全 露出氮化硅层；
(6) 刻蚀掉浮栅位置区域以外第(1)步淀积的氮化硅层和二氧化硅层;
(7) 刻蚀去掉未被第(5)步得到的二氧化硅覆盖的多晶硅。
本发明浮栅闪存器件中浮栅的制作方法其步骤简单，易于实现，制作
出的浮栅能够达到擦拭效率更高，耐用度更好的效果。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1为现有的浮栅闪存器件的结构示意图2为本发明浮栅闪存器件的结构示意图3至图9为本发明浮栅闪存器件中浮栅的制作方法中各步骤的示意图。
图中附图标记为，l.漏极；2.源极；3.二氧化硅层；4.浮栅；5.控制栅；51.控制栅本体部分；52.控制栅覆盖部分；6.二氧化硅；7.多晶硅； 8.二氧化硅层；9.氮化硅；IO.浅沟；ll.二氧化硅。
具体实施例方式
本发明浮栅闪存器件的结构可参见图2所示，包括源极2和漏极1，在 所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述 浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4为两端有 向上突起的尖角的"凹"字形，所述控制栅5为拐角位置都垂直的"Z"字 形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述"Z"字形控制栅 5的下部为本体部分51，所述"Z"字形控制栅5的上部为覆盖部分52，所 述控制栅5的本体部分51位于所述浮栅4的一侧，所述控制栅5的覆盖部 分52完全罩住所述浮栅4，所述浮栅4与所述控制栅5的覆盖部分52之间 隔有二氧化硅6。所述控制栅5的覆盖部分52的下缘为平的。
本发明浮栅闪存器件所采用的上述结构，与现有的浮栅闪存器件结构 相比，使得浮栅4的尖角更尖，并且控制栅5的覆盖部分52完全罩住浮栅
4，大大的提高了擦拭效率，并且耐用度更好。
本发明还提供了一种上述浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，包括如下 步骤；
(1) 淀积多晶硅7，生长二氧化硅层8，之后淀积氮化硅层9，如图3 所示，生长二氧化硅层8可采用热氧化的方法；
(2) 干刻去掉浮栅位置区域的氮化硅，如图4所示；
(3) 干刻去除浮栅位置区域的二氧化硅，并且在多晶硅7上位于浮栅位 置区域非垂直干刻出浅沟10，所述浅沟的底部为平底的，侧壁具有坡度， 如图5所示；
(4) 再次淀积二氧化硅11填满浅沟，如图6所示；
(5) 化学机械研磨去除浮栅位置以外第(4)步淀积的二氧化硅，完全 露出氮化硅层9,从而形成了隔离在所述浮栅与控制栅之间的二氧化硅6， 如图7所示；
(6) 刻蚀掉浮栅位置区域以外第(1)步淀积的氮化硅层和二氧化硅层， 只剩下带有浅沟的多晶硅7和二氧化硅6，如图8所示；
(7) 刻蚀去掉未被第(5)步得到的二氧化硅6覆盖的多晶硅7，从而 得到浮栅4，如图9所示。
综上所述，本发明浮栅闪存器件中浮栅的制作方法步骤简单，易于实 现，与现有的浮栅闪存器件相比，通过本发明所提供的浮栅闪存器件中浮 栅制作方法制作出的浮栅能够达到擦拭效率更高，耐用度更好的效果。
权利要求
1.一种浮栅闪存器件，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述“Z”字形控制栅的下部为本体部分，所述“Z”字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
2. 根据权利要求1所述的浮栅闪存器件，其特征在于，所述控制栅的 覆盖部分的下缘为平的。
3. —种如权利要求1所述的浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤(1) 淀积多晶硅，生长二氧化硅层，之后淀积氮化硅层；(2) 干刻去掉浮栅位置区域的氮化硅；(3) 干刻去除浮栅位置区域的二氧化硅，并且在多晶硅上位于浮栅位置 区域非垂直干刻出浅沟，所述浅沟的底部为平底的，侧壁具有坡度；(4) 再次淀积二氧化硅填满浅沟；(5) 化学机械研磨去除浮栅位置以外第(4)步淀积的二氧化硅，完全 露出氮化硅层；(6) 刻蚀掉浮栅位置区域以外第(1)步淀积的氮化硅层和二氧化硅层；(7) 刻蚀去掉未被第(5)步得到的二氧化硅覆盖的多晶硅。
4. 根据权利要求3所述的浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，其特征在 于，所述第(1)步生长二氧化硅，采用热氧化的方法生长二氧化硅。
5. 根据权利要求3所述的浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，其特征在 于，所述第(7)步刻蚀去掉未被二氧化硅覆盖的多晶硅，采用硅/二氧化 硅选择比高的干刻方法进行刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种浮栅闪存器件，其浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，其控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。本发明还公开了一种浮栅闪存器件中浮栅的制作方法，其步骤包括在多晶硅上生长二氧化硅和氮化硅之后刻蚀得到浅沟，之后在浅沟上再生长二氧化硅，然后将浅沟以外的部分去除从而得到浮栅结构。本发明浮栅闪存器件中浮栅的制作方法其步骤简单，易于实现，制作出的浮栅能够达到擦拭效率更高，耐用度更好的效果。
文档编号H01L29/788GK101202307SQ20061011939
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月11日 优先权日2006年12月11日
发明者金勤海 申请人:上海华虹Nec电子有限公司