专利名称：浮栅闪存器件结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种浮栅闪存器件结构。
背景技术：
现有的浮栅闪存器件结构可参见图1所示，包括源极2和漏极1，在所 述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述浮 栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4的上缘为两 端向上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述控 制栅5的本体部分51位于所述浮栅的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52 的下缘为半弧形，所述控制栅5的覆盖部分52的将所述浮栅4的一半罩住。 进行"擦"操作时，如图1中箭头所示，控制栅5接高电压，源极2和漏 极1接低电压，电子从浮栅4左边的尖端流入控制栅5。这种结构使得耐用 度不容易优化提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种浮栅闪存器件结构，能够大大 的提高浮栅闪存器件的耐用度。
为解决上述技术问题，本发明浮栅闪存器件结构的技术方案是，包括 源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制 栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述 浮栅为两端有向上突起的尖角的"凹"字形，所述控制栅为拐角位置都垂
直的"z"字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述"z"字形控制栅的下部为本体部分，所述"z"字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所 述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖 角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
本发明通过上述结构，使得浮栅的尖角更尖，从而大大的提高了浮栅 闪存器件的耐用度。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1为现有的浮栅闪存器件结构示意图2为本发明浮栅闪存器件结构示意图3至图9为制作本发明浮栅闪存器件中浮栅的示意图。
图中附图标记为，l.漏极；2.源极；3.二氧化硅层；4.浮栅；5.控制栅；51.控制栅本体部分；52.控制栅覆盖部分；6. 二氧化硅；7.多晶硅； 8.二氧化硅层；9.氮化硅；IO.浅沟；ll.二氧化硅。
具体实施例方式
本发明浮栅闪存器件结构可参见图2所示，包括源极2和漏极1，在所 述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述浮 栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4为两端有向 上突起的尖角的"凹"字形，所述控制栅5为拐角位置都垂直的"Z"字形， 所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述"Z"字形控制栅5的
下部为本体部分51,所述"Z"字形控制栅5的上部为覆盖部分52,所述 控制栅5的本体部51分位于所述浮栅4的一侧，所述控制栅5的覆盖部分 52部分罩住所述浮栅4，所述浮栅4被所述控制栅5的覆盖部分52罩住的 部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅4与所述控制栅5的覆盖部分52之间 隔有二氧化硅6。所述控制栅5的覆盖部分52的下缘为平的。
本发明通过采用上述"凹"字形的浮栅结构和"Z"字形的控制栅结构， 与现有技术相比，使得浮栅的尖角更尖，因此可以大大的提高浮栅闪存器 件的耐用度。
本发明浮栅闪存器件中浮栅可以采用如下的方法进行制作，具体步骤 包括-
(1) 淀积多晶硅7，生长二氧化硅层8，之后淀积氮化硅层9,如图3 所示，生长二氧化硅层8可采用热氧化的方法；
(2) 干刻去掉浮栅位置区域的氮化硅，如图4所示；
(3) 干刻去除浮栅位置区域的二氧化硅，并且在多晶硅7上位于浮栅位 置区域非垂直干刻出浅沟10，所述浅沟的底部为平底的，侧壁具有坡度， 如图5所示；
(4) 再次淀积二氧化硅11填满浅沟，如图6所示；
(5) 化学机械研磨去除浮栅位置以外第(4)步淀积的二氧化硅，完全 露出氮化硅层9，从而形成了隔离在所述浮栅与控制栅之间的二氧化硅6， 如图7所示；
(6) 刻蚀掉浮栅位置区域以外第(1)步淀积的氮化硅层和二氧化硅层，只剩下带有浅沟的多晶硅7和二氧化硅6，如图8所示；
(7)刻蚀去掉未被第(5)步得到的二氧化硅6覆盖的多晶硅7，从而 得到浮栅4，如图9所示。
通过上述方法可以得到本发明浮栅闪存器件结构中的浮栅，使得所述 浮栅的尖角更尖，大大提高闪存器件的耐用度，从而提高器件的性能。
权利要求
1.一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述“Z”字形控制栅的下部为本体部分，所述“Z”字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
2. 根据权利要求1所述的浮栅闪存器件结构，其特征在于，所述控制 栅覆盖部分的下缘为平的。
全文摘要
本发明公开了一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。本发明通过上述结构，使得浮栅的尖角更尖，从而大大的提高了浮栅闪存器件的耐用度。
文档编号H01L29/66GK101202308SQ200610119400
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月11日 优先权日2006年12月11日
发明者金勤海 申请人:上海华虹Nec电子有限公司