闪存结构的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种闪存结构的制造方法。
【背景技术】
[0002]在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型:模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器件是数字电路中的一个重要类型。而在存储器件中，近年来闪速存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
[0003]闪存结构主要包括栅极叠层(Stack Gate)结构和分栅(Split Gate)结构。其中，分栅结构由于具有更高的编程效率，在擦写功能上可以避免过度擦写问题，因而被广泛运用在各类诸如智能卡、S頂卡、微控制器、手机等电子产品中。
[0004]但是，现有技术中闪存结构的良率有待提尚。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种闪存结构的制造方法，提高闪存结构的良率。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种闪存结构的制造方法，包括如下步骤:提供衬底，所述衬底包括逻辑区和存储单元区；在所述衬底上形成字线层；采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理；进行所述中和处理后，通过曝光显影工艺在所述字线层表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述逻辑区的字线层表面；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。
[0007]可选的，所述字线层的材料为重掺杂的多晶硅。
[0008]可选的，采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理的步骤中，所述显影剂为碱性显影剂。
[0009]可选的，所述碱性显影剂为氢氧化四甲基铵溶液。
[0010]可选的，所述氢氧化四甲基铵溶液的质量浓度为2%至2.5%。
[0011]可选的，采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理的步骤中，所述显影剂的温度为20°C至40°C。
[0012]可选的，所述曝光显影工艺中，采用包含碱性离子的显影剂进行显影。
[0013]可选的，所述碱性离子为氢氧根离子。
[0014]可选的，去除所述逻辑区的字线层的工艺为等离子体干法刻蚀工艺。
[0015]可选的，所述显影剂与所述曝光显影工艺中采用的显影剂相同。
[0016]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0017]本发明在进行曝光显影工艺之前，先采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理，避免所述曝光显影工艺中采用的显影剂与所述字线层表面发生酸碱中和反应而消耗所述显影剂的问题，从而提高所述显影剂的显影效果，使所述曝光显影工艺的显影剂对所述光刻胶层充分显影，从而使逻辑区的字线层可以被去除完全，进而提高闪存结构的良率。
[0018]可选方案中，采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理，避免显影工艺中显影剂的离子与所述字线层表面发生酸碱中和反应而消耗显影剂中碱性离子的问题，使所述曝光显影工艺的显影剂对所述光刻胶层充分显影，从而避免逻辑区的字线层表面有光刻胶残留，进而降低显影目检时的缺陷数量。
[0019]可选方案中，所述显影剂与所述曝光显影工艺中采用的显影剂相同，从而可以避免向显影工艺中引入杂质离子。
【附图说明】
[0020]图1和图2是现有技术字线形成过程对应的结构示意图；
[0021]图3是本发明闪存结构的制造方法一实施例的流程示意图；
[0022]图4和图5是本发明字线形成过程一实施例对应的结构示意图；
[0023]图6是采用本发明闪存结构的制造方法后显影目检时的缺陷数量图。
【具体实施方式】
[0024]由【背景技术】可知，现有技术形成的闪存结构良率有待提高。结合现有技术存储字线形成过程分析其原因。参考图1和图2，示出了现有技术字线形成过程对应的结构示意图。
[0025]具体地，请参考图1，提供衬底100，其中，所述衬底100包括逻辑区II和存储单元区I。所述存储单元区I的衬底100上形成有浮栅层200以及浮栅介质层300 ;在所述逻辑区II和存储单元区I的衬底100上形成字线层400’，在所述字线层400’表面形成图形化的光刻胶层(图未示)，所述图形化的光刻胶层暴露出所述逻辑区II的字线层400’。
[0026]参考图2，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述逻辑区II的字线层400’ (如图2所示)，在所述存储单元区I形成字线400。
[0027]继续参考图2，形成所述字线层400’后，所述字线层400’的表面附着有酸性的基团而使所述字线层400’表面呈酸性，通过曝光显影工艺形成图形化的光刻胶层时，由于显影工艺中显影剂包含碱性离子，因此所述显影剂容易在所述字线层400’表面发生酸碱中和反应而消耗所述显影剂中的碱性离子，这容易减弱显影剂的显影效果，导致所述曝光显影工艺的显影剂对所述光刻胶层显影不充分，从而引起逻辑区II的字线层400’表面有光刻胶残留，进而容易导致逻辑区II的字线层400’去除不完全，使逻辑区II有字线层残留物410”。所述字线残留物410”的存在不仅使显影目检时的缺陷数量增加，还容易降低闪存结构的良率。
[0028]为了解决所述技术问题，本发明提供一种闪存结构的制造方法，包括:提供衬底，所述衬底包括逻辑区和存储单元区；在所述衬底上形成字线层；采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理；进行所述中和处理后，通过曝光显影工艺在所述字线层表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述逻辑区的字线层表面；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。
[0029]本发明在进行曝光显影工艺之前，先采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理，避免所述曝光显影工艺中采用的显影剂与所述字线层表面发生酸碱中和反应而消耗所述显影剂的问题，从而提高所述显影剂的显影效果，使所述曝光显影工艺的显影剂对所述光刻胶层充分显影，从而使逻辑区的字线层可以被去除完全，进而提高闪存结构的良率。
[0030]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0031]图3是本发明闪存结构的制造方法一实施例的流程示意图，图4和图5是本发明字线形成过程一实施例对应的结构示意图，本实施例闪存结构的制造方法包括以下基本步骤:
[0032]步骤S1:提供衬底，所述衬底包括逻辑区和存储单元区；
[0033]步骤S2:在所述衬底上形成字线层；
[0034]步骤S3:采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理；
[0035]步骤S4:进行中和处理后，通过曝光显影工艺在所述字线层表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述逻辑区的字线层表面；
[0036]步骤S5:以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。
[0037]为了更好地说明本发明闪存结构的制造方法，下面将结合参考图4和图5，对本发明的具体实施例做进一步的描述。
[0038]结合参考图4，首先执行步骤S1，提供衬底500，所述衬底500包括逻辑区II和存储单元区I。
[0039]所述衬底500的材料可以为硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟，所述衬底500还能够为绝缘体上的硅衬底或者绝缘体上的锗衬底。本实施例中，所述衬底