一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法
【技术领域】
[OOO1 ]本发明设及闪存广品制造领域，具体设及一种在闪存广品制造时提局娃片良率的 方法。
【背景技术】
[0002] 对于闪存产品，栅极氧化层是整个工艺流程中至关重要的核屯、制程，而栅极氧化 层生长过程中溫度的均匀性是其关键指标，它决定着后续光刻制程中叠加的好坏，也影响 着产品娃片边缘的缺陷和产品良率，ISSG(现场湿气生成）是在低压高溫的环境下，通入一 定的氨气、氧气，经过一系列化学反应氧化娃原子生成二氧化娃的工艺，娃片在灯泡的加热 下，通过7根探头来控制溫度，进而控制生长的均匀性。由于娃片边缘最容易产生形变，当最 边缘的探头加溫过高，娃片产生塑性变形，工艺完成后，娃片不能恢复原状。
【发明内容】
[0003] 本发明解决上述技术问题的技术方案如下：
[0004] -种在闪存产品制造时提高娃片良率的方法，在栅极氧化层生长时的现场湿气生 成工艺中，将最边缘的探头溫度相对于工艺溫度降低一定溫度t，所述的t的范围为7°CW 内。
[0005] 本发明的有益效果是:本方法可通过简单的控制，有效减少闪存产品制造时娃片 的形变，提局娃片的良率，运用此方法之后，娃片的良率提局7%。
[0006] 在上述技术方案的基础上，本发明还可W做如下改进。
[0007] 进一步的，所述的t为6°C~7°C。
[000引本发明的有益效果是:最边缘探头溫度降低6°C~7°C时，效果最好。
【附图说明】
[0009]图1为本发明现场湿气生成工艺中最边缘探头的位置示意图。
[0010]图中，1代表最边缘的探头。
【具体实施方式】
[0011] W下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并 非用于限定本发明的范围。
[0012] -种在闪存产品制造时提高娃片良率的方法，在栅极氧化层生长时的现场湿气生 成工艺中，将最边缘的探头溫度相对于工艺溫度降低一定溫度t，可有效减少娃片的变形， 提高娃片的良率，如表1所示，表格中，T7代表最边缘的探头，17的基础溫度为本工序的溫 度，+3°C表示最边缘探头的溫度增加3摄氏度，W此类推。
[0013]
[0014] 由表格可知，17相对比工艺溫度降低6~9°C，形变最小，但是娃片边缘溫度降低太 多，使娃片边缘氧化层生长变慢，厚度变薄，最终影响忍片的击穿电压和存储数据的读写， 因此降低娃片最边缘探头的溫度6~7°C，可W使娃片最小形变，边缘的氧化层也可W满足 工艺需要。
[0015] 如图1所示，为现场湿气生成工艺中T7的具体位置。
[0016] 后续工艺光刻对娃片的变形要求十分严格，如果娃片形变严重，机台经常报警，降 低了生产效率，经试验证明，运用本方法之前，娃片的非变形面积为91.31%，运用本方法之 后，娃片的非变形面积为98.79%，娃片的良率提高7%，同时提高了后续工艺光刻的正产效 率。
[0017]W上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用W限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法，其特征在于，在栅极氧化层生长时的 现场湿气生成工艺中，将最边缘的探头温度相对于工艺温度降低一定温度t，所述的t的范 围为7°c以内。2. 根据权利要求1所述的在闪存产品制造时提高硅片良率的方法，其特征在于，所述的 t为6〇C_7〇C。
【专利摘要】本发明涉及闪存产品制造领域，具体涉及一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法，在栅极氧化层生长时的现场湿气生成工艺中，将最边缘的探头温度相对于工艺温度降低一定温度t，实验发现，t在7℃以内，特别是6-7℃时，防止形变效果最好。本方法可通过简单的控制，有效减少闪存产品制造时硅片的形变，提高硅片的良率，运用此方法之后，硅片的良率提高7％。
【IPC分类】H01L21/02, H01L21/67
【公开号】CN105428277
【申请号】CN201510765546
【发明人】马鸣明
【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月11日