技术编号:7211925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器装置,具体地涉及包含翼型沟道区的半导体器件和随机访问存储器(RAM)。例如,该半导体器件可包含翼型场效应晶体管(FinFET),该RAM可包含动态随机访问存储器(DRAM)、电阻随机访问存储器(RRAM)、铁电随机访问存储器(FeRAM)或NOR型闪存。背景技术 人们已经研究了可以增强半导体器件性能的翼型(Fin)场效应晶体管(FinFET)结构。例如,标题为“Fin Memory Cell and Method of Fabrica...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。