技术编号:7212553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种于金属线上形成金属覆盖层的方法。。背景技术 在半导体集成电路的制造过程中,内连线是在后段制程(back end ofline;BEOL)中制造的。内连线的结构包括金属(例如铜)、层间介电层(inter-layer dielectric;ILD)与连接上下金属层的中介窗(via),其位于层间介电层之中。在现有后段制程制造中介窗的过程中,填补沟渠的铜通常是在基材上利用电化学沉积法(electrochemical depositio...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。