技术编号:7212824
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作金属氧化物半导体(metal-oxide semiconductor,以 下简称为MOS)晶体管的方法,尤其涉及一种可有效改善瞬间增益扩散 (transient enhanced diffiision, 以下简称为TED)效应及短沟道效应(short channel effect)的制作MOS晶体管的方法。背景技术随着工艺技术的进步以及对逻辑元件高速度与低耗电的要求,MOS晶 体管的尺寸也随之微缩至微米或纳米等级以下的微细化尺寸,而伴随着...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。