技术编号:7213079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体制造领域,更具体地,涉及使用气体簇离子束(GCIB)蚀刻来蚀刻和平整化表面的集成制造工艺。背景技术 在其制造之后,微电子材料例如半导体、电介质和金属(经常作为衬底上的薄膜)的表面通常要被平坦化。作为多层或相互作用和互连的子元件的微电子元件的附近要求表面具有高度均匀性。半导体技术中的进展已经看到了超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的优点,导致在半导体衬底上在更小的区域中集成非常多的器件。更大的器件密度需要更大的平坦...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。