技术编号：7213120
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种半导体器件的形成方法 及半导体器件。 背景技术随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，器件的尺 寸越来越小，因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体工艺制作结 果的影响也日益突出。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中，当器件尺寸缩小至 65nm以下时，晶片表面的一些不平整，如因源/漏极表面的凹陷，都会对器件 的性能及工作速度产生明显影响，而采用现有的制作工艺制作的MOSFET器 件，位于源/漏...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。