技术编号:7213163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及浅沟槽隔离半导体器 件的制作方法。背景技术随着集成电路尺寸的减小,构成电路的器件必须更密集地放置,以适应 芯片上可用的有限空间。由于目前的研究致力于增大半导体衬底的单位面积 上有源器件的密度,所以电路间的有效绝缘隔离变得更加重要。现有技术中形成隔离区域的方法主要有局部氧化隔离(LOCOS )工艺或浅沟槽隔离(STI) 工艺。LOCOS工艺是在硅衬底表面淀积一层氮化硅,然后再进行刻蚀,对部 分凹进区域进行氧化生长氧化硅,有源器件在氮化...
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