技术编号：7213578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及n-或p-沟道型薄膜晶体管的结构、用于制造n-或p-型薄膜晶体管的方法、以及使用这种薄膜晶体管的显示器。背景技术 非晶硅薄膜和多晶硅薄膜已经被用作半导体薄膜，该薄膜用于形成例如用作控制施加到液晶显示器(LCD)中的像素的电压的开关元件的薄膜晶体管(TFT)或者用于液晶显示器的控制电路的薄膜晶体管。在使用多晶硅薄膜作为半导体薄膜的TFT中，迁移穿过沟道区的电子或空穴的迁移率通常高于使用非晶硅薄膜作为半导体薄膜的TFT中的迁移率。因此，与使用非晶硅薄...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。