技术编号:7213586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体记忆元件,特别是有关于一种堆迭式闸极(stacked-gate)快闪记忆元件。Jung-Dal Choi等人在IEEE 2000,“A0.15μm NAND Flash Technology with0.11μm2Cell Size for l Gbit Flash Memory”揭示一种高密度快闪记忆体,其中为了连接NAND记忆胞阵列,利用一条复晶硅作为共同的源极线,而钨位线则是以镶嵌式制程形成在源极线之上。此种双层的内连线结构具...
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