技术编号:7213712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种可避免主动 区域边缘的栅氧化层厚度变厚的制备方法。背景技术公知的半导体工艺为了避免电子元件相互干扰而产生短路现象, 一般釆用硅的局部氧化法(local oxidation of silicon; LOCOS)或浅槽隔离法 (shallow trench isolation; STI)电气隔离晶片上的电子元件。由于局部氧化 法形成的场氧化层占据晶片较大面积,且会伴随产生鸟嘴现象,因此目前 先进半导体工艺多采用浅槽隔离法电隔离电子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。