技术编号:7213819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及一种适用于形成设置有背栅电极的场效应晶体管的方法的制造方法。背景技术 由于形成在SOI基板上的场效应晶体管,具有元件容易分离、封闭锁定(latch up)自如、源极/漏极接合电容小等特点,所以,其有用性备受瞩目。特别是由于完全耗尽型SOI晶体管能够实现低消耗功率且高速动作、容易进行低电压驱动,所以,用于使SOI晶体管以完全耗尽模式动作的研究正在盛行。这里,作为SOI基板例如如专利文献1、2所公开那样,使用SIMOX(Separation...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。