技术编号:7214089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体,特别涉及一种。背景技术 对高压侧驱动器而言,基本上,在高压结(HV junction)上覆盖过大的导电材料会降低高压结的击穿电压。如图1A所示,特别是当一凹型的导电电容结构113直接设置于高压结101的N型深阱(NWD)111上时,靠近凹型(或角落)区的高压结101的P型阱区(PW)S的击穿电压(breakdown voltage)会大幅降低。请参照图1B,其示出传统电源供应IC内的一种高压侧驱动器的半导体结构的局部剖面图。高压侧驱动...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。