技术编号:7214093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件的制造方法,,且特别是有关于一种分离 栅极快闪存储器的制造方法。背景技术非易失性存储器(nonvolatile memory)现今被应用于各种电子装置上,如 用于储存结构数据、程序数据等等。快闪存储器是一种非易失性存储器,由 于其可以进行多次数据存入、读取与清除等的动作,因此成为半导体市场中 成长颇为快速的产品。近来,为了降低半导体元件的制造成本并简化工艺,将存储器的存储单 元(memory cell)与周边电路区(periph...
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