技术编号：7214513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用剥离方法的。背景技术 现有的薄型中有一种例子，即在耐热性高的衬底和薄膜集成电路的基底绝缘层之间设置金属氧化膜，并通过晶化将该金属氧化膜脆弱化而使薄膜集成电路剥离，且利用粘合剂将另外准备的柔性衬底与薄膜集成电路的基底绝缘层贴在一起(例如，参照专利文件1)。日本专利申请公开2005-229098号公报然而，在基底绝缘层由无机绝缘层如氧化硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合剂由有机化合物如聚合物或有机树脂而形成的情况下，会发生一个问题，即，基底绝缘层和粘合...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。