专利名称：半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及使用剥离方法的半导体装置的制造方法。
背景技术：
现有的薄型半导体装置的制造方法中有一种例子，即在耐热性高的衬底和薄膜集成电路的基底绝缘层之间设置金属氧化膜，并通过晶化将该金属氧化膜脆弱化而使薄膜集成电路剥离，且利用粘合剂将另外准备的柔性衬底与薄膜集成电路的基底绝缘层贴在一起(例如，参照专利文件1)。
日本专利申请公开2005-229098号公报然而，在基底绝缘层由无机绝缘层如氧化硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合剂由有机化合物如聚合物或有机树脂而形成的情况下，会发生一个问题，即，基底绝缘层和粘合剂的紧密性低。
此外，如果将通过上述方法等贴在一起的薄膜集成电路和柔性衬底分割为多个，就在被分割了的侧面露出基底绝缘层和粘合剂的界面。在基底绝缘层由无机绝缘层如氧化硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合剂由有机化合物如聚合物或有机树脂而形成的情况下，基底绝缘层和粘合剂的紧密性低，因此湿气等从该界面容易进入。结果发生一个问题，即从基底绝缘层剥落柔性衬底。如果从基底绝缘层剥落柔性衬底则发生另一个问题，即露出薄膜集成电路，而由于湿气，薄膜集成电路不正常地工作。
发明内容
于是，本发明提供一种具有防水性且高可靠性的半导体装置的制造方法。
本发明的要旨在于提供一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤将剥离层、无机绝缘层、具有有机化合物层的元件形成层依次形成在衬底上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层的一部分或者无机绝缘层和元件形成层的一部分去掉，而至少将无机绝缘层分离得成为多个部分，以及在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底以及粘合剂中的任两个或更多；以及将有机化合物层、柔性衬底以及粘合剂中的任两个或更多粘结的区域分割。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成具有有机化合物层的元件形成层；将第一柔性衬底贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层的一部分去掉而使无机绝缘层分离得成为多个部分，并且使元件形成层中的有机化合物层的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及元件形成层中的有机化合物层的露出部分上；以及将第一柔性衬底、元件形成层中的有机化合物层的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
注意，还可以在上述元件形成层以及第一柔性衬底之间形成有机树脂层。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将第一柔性衬底贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉而使无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一柔性衬底的露出部分上；以及将第一柔性衬底的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉，而将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一粘合剂的露出部分上；以及将第一柔性衬底、第一粘合剂的露出部分、第二粘合剂和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；在元件形成层上形成有机树脂层；将第一柔性衬底贴在有机树脂层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉，而将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使有机树脂层的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及有机树脂层的露出部分上；以及将第一柔性衬底、有机树脂层的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；在元件形成层上形成有机树脂层；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在有机树脂层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层以及有机树脂层的一部分去掉，而将无机绝缘层以及有机树脂层分离得成为多个部分，并且使第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一粘合剂的露出部分上；以及将第一柔性衬底、第一粘合剂的露出部分、第二粘合剂和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将第一柔性衬底贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉而将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一柔性衬底的露出部分上；以及将第一柔性衬底的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将粘合构件贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将第一柔性衬底贴在无机绝缘层上；将粘合构件去掉；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉，而将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一柔性衬底露出；将第二柔性衬底贴在分离了的元件形成层以及第一柔性衬底的露出部分上；以及将第一柔性衬底的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将粘合构件贴在元件形成层上；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在无机绝缘层上；将粘合构件去掉；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉，而将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在分离了的元件形成层以及第一粘合剂的露出部分上；以及将第一柔性衬底、第一粘合剂的露出部分、第二粘合剂和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；将第一柔性衬底贴在无机绝缘层上；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉且将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一柔性衬底的露出部分上；以及将第一柔性衬底和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在剥离层上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成元件形成层；将在其表面上形成有无机绝缘层的元件形成层从衬底分离；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在无机绝缘层上；将无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉且将无机绝缘层以及元件形成层分离得成为多个部分，并且使第一粘合剂的一部分露出；将第二柔性衬底贴在分离了的无机绝缘层以及第一粘合剂的露出部分上；以及将第一柔性衬底、第一粘合剂的露出部分和第二柔性衬底重叠的区域切断。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路；与薄膜集成电路接触的绝缘层；以及与绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，绝缘层和薄膜集成电路的界面、以及绝缘层和第二柔性衬底的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括薄膜集成电路；与薄膜集成电路接触的绝缘层；与薄膜集成电路以及绝缘层接触的第一柔性衬底；以及与绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，薄膜集成电路和第一柔性衬底的界面、绝缘层和第一柔性衬底的界面、以及绝缘层和第二柔性衬底的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路；与第一柔性衬底以及薄膜集成电路的一个面接触的有机树脂层；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；以及与绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，绝缘层和薄膜集成电路的界面、以及绝缘层和第二柔性衬底的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括薄膜集成电路；与薄膜集成电路的一个面接触的有机树脂层；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；与薄膜集成电路和有机树脂层接触的第一柔性衬底；以及与绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，有机树脂层和第一柔性衬底的界面、薄膜集成电路和第一柔性衬底的界面、绝缘层和第一柔性衬底的界面、以及绝缘层和第二柔性衬底的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路将第一柔性衬底以及薄膜集成电路的一个面粘结的第一粘合剂；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；第二柔性衬底；以及将绝缘层和第二柔性衬底粘结的第二粘合剂，其中，绝缘层和薄膜集成电路的界面、以及绝缘层和第二粘合剂的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路；将第一柔性衬底以及薄膜集成电路的一个面粘结的第一粘合剂；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；第二柔性衬底；以及将绝缘层和第二柔性衬底粘结的第二粘合剂，其中，薄膜集成电路和第一粘合剂的界面、薄膜集成电路和绝缘层的界面、以及绝缘层和第二粘合剂的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路；形成在薄膜集成电路的一个面上的有机树脂层；将第一柔性衬底以及有机树脂层粘结的第一粘合剂；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；第二柔性衬底；以及将绝缘层和第二柔性衬底粘结的第二粘合剂，其中，绝缘层和第一粘合剂的界面、绝缘层和薄膜集成电路的界面、以及绝缘层和第二粘合剂的界面不露出。
此外，本发明之一为半导体装置，它包括第一柔性衬底；薄膜集成电路；形成在薄膜集成电路的一个面上的有机树脂层；将第一柔性衬底以及有机树脂层粘结的第一粘合剂；与薄膜集成电路的另一个面接触的绝缘层；第二柔性衬底；以及将绝缘层和第二柔性衬底粘结的第二粘合剂，其中，第一粘合剂和有机树脂层的界面、有机树脂层和薄膜集成电路的界面、薄膜集成电路和绝缘层的界面、以及绝缘层和第二粘合剂的界面不露出。
注意，第一柔性衬底、有机树脂层、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、有机树脂层、薄膜集成电路以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、薄膜集成电路以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、有机树脂层、薄膜集成电路、第二粘合剂、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、有机树脂层、第二粘合剂、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、有机树脂层、薄膜集成电路、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、薄膜集成电路、第二粘合剂、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、第二粘合剂、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、薄膜集成电路、第二粘合剂、以及第二柔性衬底的界面露出。
或者，第一柔性衬底、第一粘合剂、薄膜集成电路、以及第二柔性衬底的界面露出。
根据本发明而制造的半导体装置具有如下的结构，即在其端部，有机化合物层、由有机化合物形成的粘合剂、以及由有机化合物形成的柔性衬底中的两个或更多的层叠体露出，并且无机绝缘层以及由有机化合物形成的粘合剂接触的区域不露出。因此，在半导体装置的端部，有机化合物层、由有机化合物形成的粘合剂、以及由有机化合物形成的柔性衬底中的两个或更多的紧密力高，因而可以抑制湿气从界面进入到半导体装置。即，可以制造夹持薄膜集成电路的多个柔性衬底的紧密力高的半导体装置。结果，可以制造具有防水性的半导体装置。即，可以制造可靠性高的半导体装置。此外，由于使用柔性衬底，所以可以制造薄型半导体装置。
图1A至1E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图2A至2E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图3A至3E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图4为显示本发明的半导体装置的结构的截面图；图5A至5E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图6A至6E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图7为显示本发明的半导体装置的结构的截面图；图8A至8F为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图9A和9B为显示本发明的半导体装置的结构的截面图；图10A至10E为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图11A至11D为显示本发明的半导体装置的制造步骤的截面图；图12为显示本发明的半导体装置的制造步骤的俯视图；图13为显示本发明的半导体装置的结构的图；图14A至14C为显示可以适用于本发明的天线的结构的图；图15A至15F为显示本发明的半导体装置的应用实例的图。
具体实施例方式
下面，基于附图而说明本发明的实施方式。但是，本领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是本发明可以以多个不同方式而实施，其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在本实施方式所记载的内容中。注意，在为了说明实施方式的所有附图中，对共同部分或具有同样作用的部分使用相同的符号，而省略重复的说明。
实施方式1在本实施方式中，对于在其端部的叠层的紧密性高的半导体装置的制造步骤进行说明。
如图1A至1E所示，在衬底101上形成剥离层102，在剥离层102上形成绝缘层103，在绝缘层103上形成元件形成层104。然后，使用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起。
作为衬底101，除了玻璃衬底、石英衬底以外，还可以使用在其表面上形成有绝缘层的金属衬底、不锈钢衬底、硅片等。另外，也可以使用具有可耐本步骤的处理温度的耐热性的塑料衬底等。对于玻璃衬底、在其表面上形成有绝缘层的金属衬底或不锈钢衬底的尺寸和形状没有限制，从而例如使用一边长为1米或更长并且为矩形的衬底作为衬底101，就可以格外提高生产率。与使用圆形的硅衬底的情况相比，这是很大的优点。
剥离层102是通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等将由选自钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)以及硅(Si)中的元素，以上述元素为主要成分的合金材料，或由以上述元素为主要成分的化合物材料构成的层单独或层叠多个层而形成的。含有硅的层的结晶结构可以为非晶、微晶、多晶中的任何一种。
在剥离层102为单层结构的情况下，优选形成钨层、钼层或含有钨和钼的混合物的层。或者，形成含有钨的氧化物或其氧氮化物的层、含有钼的氧化物或其氧氮化物的层、或含有钨和钼的混合物的氧化物或其氧氮化物的层。注意，钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
在剥离层102为叠层结构的情况下，优选形成钨层、钼层或含有钨和钼的混合物的层作为第一层，并且形成含有以下化合物中的任何一种的层作为第二层钨、钼或钨和钼的混合物的氧化物；钨、钼或钨和钼的混合物的氮化物；钨、钼或钨和钼的混合物的氧氮化物；或者钨、钼或钨和钼的混合物的氮氧化物。
在作为剥离层102形成钨层和含有钨的氧化物的层的叠层结构的情况下，可以利用如下现象通过形成钨层并且在其上层形成由氧化物形成的绝缘层，在钨层和绝缘层的界面形成含有钨的氧化物的层。
以WOx表示钨的氧化物。x在2×3的范围内，例如有如下情况x为2(WO2)、x为2.5(W2O5)、x为2.75(W4O11)、以及x为3(WO3)等。
此外，在上述步骤中，虽然与衬底101接触地形成剥离层102，然而本发明不局限于该步骤。还可以与衬底101接触地形成成为基底的绝缘层，并且与该基底绝缘层接触地提供剥离层102。
绝缘层103通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等使用无机化合物以单层或多层形成。作为无机化合物的典型例子，可以举出氧化硅、氮氧化硅以及氧氮化硅等。此外，在以多层形成绝缘层103的情况下，可以将氧化硅、氮氧化硅以及氧氮化硅层叠而形成。此外，还可以在将绝缘层形成在剥离层102上之前，对剥离层102的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、N2O等离子体处理、使用臭氧水等的强氧化溶液的处理等而形成氧化物层。
元件形成层104包括形成在绝缘层103上的多个薄膜集成电路。将薄膜晶体管、二极管、电阻、电容器等的元件适当地使用而形成薄膜集成电路。注意，元件形成层104包括有机化合物层。
此外，薄膜集成电路包括天线、整流器电路、存储电容器、恒压电路等的电源电路、解调电路、时钟生成/校正电路、代码认识/判定电路、存储控制器、存储器、编码电路、调制电路以及接口等的计算处理单元(发挥作为所谓CPU的作用)等中的任多个电路。注意，具有这样的薄膜集成电路的半导体装置作为能够无接触地传送数据的半导体装置而发挥作用。
此外，薄膜集成电路包括像素电路、扫描线驱动电路、信号线驱动电路、控制器、计算处理单元、存储器、电源电路、声音处理电路、发送/接收电路、电池、天线、整流器电路、存储电容器、恒压电路等的电源电路等中的任多个电路。注意，具有这样薄膜集成电路的半导体装置作为显示器件而发挥作用。特别，当半导体装置包括天线、整流器电路、存储电容器、恒压电路等的电源电路时，它作为将无接触地传送的数据能够显示的显示器件而发挥作用。
此外，可以使用SOI(绝缘体上载硅；Silicon on Insulator)衬底、典型的为SIMOX(注入氧隔离；Separation by IMplantedOXygen)衬底作为剥离层102、绝缘层103以及元件形成层104。典型地可以将硅片作为剥离层102，并将在硅片上的氧化硅层作为绝缘层103，且将形成在其上的由单晶硅而形成的具有MOS晶体管的层作为元件形成层104。在此情况下，在图1B中，可以利用研磨/抛光机或蚀刻剂将硅片去掉，以将绝缘层103以及元件形成层104从剥离层102分离。
作为粘合剂105，使用以丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂等为典型的有机树脂。
作为第一柔性衬底106，典型地说，可以使用由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、聚丙烯、聚丙烯硫化物、聚碳酸酯、聚醚亚胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚砜或聚邻苯二甲酰胺等构成的衬底，或者由纤维材料构成的纸。
或者，作为第一柔性衬底106，也可以使用其表面为热塑性树脂层的薄膜(层压薄膜(包括聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、氯乙烯等))。通过加热处理使提供在其最外层的热塑性树脂层(不是粘接层)熔化并加压，可以将层压薄膜粘接到被处理物上。
下面，如图1B所示，将绝缘层103从衬底101剥离。
作为剥离方法，在剥离层102和绝缘层103的界面中，使用物理办法将衬底101以及元件形成层104剥离。物理办法指的是力学的办法或机械的办法，即将什么力学的能量(机械的能量)变化的办法。物理办法典型地是施加机械的力量的办法(例如，使用人的手或夹握工具剥下的办法，或者使滚子转动的分离处理)。注意，也可以在使用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起之前，对元件形成层104辐照激光而形成从绝缘层103直形成到元件形成层104的开口部分(使剥离层102的一部分露出的开口部分)。通过进行该处理，在用物理办法而做剥离时，在剥离层102和绝缘层103的界面中容易剥离了，因此可以提高成品率以及生产率。
作为另外的剥离方法，还可以使用如下的剥离方法，即使用有透光性的衬底作为衬底101，使用含氢的非晶硅膜作为剥离层102，通过从衬底101一侧辐照激光来使作为剥离层102的非晶硅膜包含的氢气化，而在衬底101和剥离层102之间、或者剥离层102和绝缘层103之间剥离。
此外，还可以使用从绝缘层103剥离衬底101的方法，即通过机械地抛光衬底101而去掉它的方法，或者利用HF等的使衬底溶解的溶液来去掉衬底101的方法。在此情况下，也可以不使用剥离层102。
此外，在利用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起之前，在元件形成层104以及绝缘层103中形成开口部分，并将氟化卤气体诸如NF3、BrF3、ClF3等输入于该开口部分，且用氟化卤气体来蚀刻剥离层102而去掉。此后，利用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起，而将元件形成层104从衬底101剥离。
此外，在利用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起之前，在元件形成层104以及绝缘层103中形成开口部分，并将氟化卤气体诸如NF3、BrF3、ClF3等输入于该开口部分，且用氟化卤气体来蚀刻剥离层102的一部分而去掉。此后，利用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104贴在一起，而通过物理办法将元件形成层104从衬底101剥离。
在此，如图1B所示，通过物理办法在剥离层102和绝缘层103的界面进行分离，而将元件形成层104从衬底101剥离。
下面，如图1C所示，有选择地去掉绝缘层103的一部分来使元件形成层104的一部分露出，而形成分离了的绝缘层111。如图12所示，优选将在元件形成层104中的与形成有薄膜集成电路的区域116的周边部分117重叠的绝缘层103有选择地去掉。作为将绝缘层103的一部分有选择地去掉的方法，可以将使用干蚀刻法或湿蚀刻法等的化学去掉方法、或使用刀片的切割方法或激光切割方法等的物理去掉方法适当地使用。
通过使用上述物理去掉方法，而多少蚀刻元件形成层104的表面。此时，使被蚀刻了的表面成为不平坦。因为在以后使用粘合剂将柔性衬底与元件形成层104的表面贴在一起的情况下，使用粘合剂114的元件形成层104和第二柔性衬底115之间的紧密性就提高，因此优选使被蚀刻了的元件形成层104的表面如此成为不平坦。
此外，通过有选择地去掉绝缘层103而露出的元件形成层104的表面优选由有机化合物形成。并且，在元件形成层104的表面不是有机化合物层的情况下，可以去掉元件形成层的一部分，而使元件形成层中的有机化合物层露出。结果，在以后使用粘合剂将柔性衬底与元件形成层104的表面贴在一起的情况下，元件形成层和粘接剂的紧密性就提高。
下面，如图1D所示，使用粘合剂114将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111以及元件形成层104的露出部分贴在一起。可以将与粘合剂105和第一柔性衬底106同样的材料分别适当地使用于粘合剂114以及第二柔性衬底115。在此，因为在分离了的绝缘层111的周围，元件形成层104的有机化合物层的表面和由有机化合物形成的粘合剂粘在一起，所以在该区域中紧密性高。
下面，将元件形成层104以及粘合剂114粘在一起的区域，即第一柔性衬底106、粘合剂105、元件形成层104、粘合剂114、第二柔性衬底115层叠的区域用切断装置112切断。结果，如图1E所示，可以制造由分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的元件形成层104(以下，也表示为薄膜集成电路104a)、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a构成的半导体装置113。
在此处的半导体装置113的端部分离了的绝缘层111不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111和薄膜集成电路104a的界面、分离了的绝缘层111和分离了的粘合剂114a的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、薄膜集成电路104a、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。作为切断装置112，可以适当地使用切割装置、划线装置、激光辐照装置等。
注意，在使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底的情况下，可以不使用粘合剂而将元件形成层与第一柔性衬底粘在一起。具体地，如果一边给第一柔性衬底加热一边将它压力粘结在元件形成层，其表面的热塑性树脂层则被增塑而为粘合剂发挥作用，且将元件形成层与第一柔性衬底粘结。此后，通过冷却第一柔性衬底，使热塑性树脂层固化。结果，可以将元件形成层与第一柔性衬底粘在一起，而不使用粘合剂。注意，在将表面为热塑性树脂层的衬底使用为第二柔性衬底的情况下，也是同样。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，在图1A中第一柔性衬底106与元件形成层104接触，并且在图1D中第二柔性衬底115与元件形成层104接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a、薄膜集成电路104a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
注意，如图2A所示，也可以在元件形成层104上设置厚度为5至10μm的有机树脂层107。通过这样在元件形成层104上形成有机树脂层107，可以防止在剥离步骤中在元件形成层中出现裂缝，并且可以提高成品率。此后，如图2B至2E所示，通过跟图1B至1E同样的步骤，可以制造半导体装置118。
注意，分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的有机树脂层107a、薄膜集成电路104a、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a层叠而形成半导体装置118。在此处的半导体装置118的端部，分离了的绝缘层111不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111和薄膜集成电路104a的界面、分离了的绝缘层111和分离了的粘合剂114a的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的有机树脂层107a、薄膜集成电路104a、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，在图2A中第一柔性衬底106与有机树脂层107接触，并且在图2D中第二柔性衬底115与元件形成层104接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a、分离了的有机树脂层107a、薄膜集成电路104a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
根据本实施方式，可以提供一种夹持薄膜集成电路的柔性衬底的紧密性高的半导体装置的制造方法。结果，可以制造具有防水性的半导体装置。即，可以制造可靠性高的半导体装置。
实施方式2在本实施方式中，参照图3A至3E和图4，而说明跟实施方式1不同，除了绝缘层103以外还蚀刻元件形成层104之后，将第二柔性衬底贴在一起的方式。此外，参照图5A至5E，而说明跟实施方式1不同，除了绝缘层103以外还蚀刻元件形成层104以及有机树脂层之后，将第二柔性衬底贴在一起的方式。
如图3A所示，跟实施方式1同样地，在衬底101上形成剥离层102，在剥离层102上形成绝缘层103，在绝缘层103上形成元件形成层104。然后，使用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104粘在一起。
下面，如图3B所示，跟实施方式1同样地，将绝缘层103从剥离层102剥离。
下面，如图3C所示，有选择地去掉绝缘层103以及元件形成层104的各一部分来使粘合剂105的一部分露出，而形成分离了的绝缘层111以及分离了的元件形成层104(以下，也表示为薄膜集成电路121)。也在本实施方式中，优选将在元件形成层104中的形成薄膜集成电路的区域的周边部分、以及形成在该区域中的绝缘层有选择地去掉。
下面，如图3D所示，使用粘合剂114将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111以及粘合剂105的露出部分贴在一起。可以将与粘合剂105以及第一柔性衬底106同样的材料分别适当地使用于粘合剂114以及第二柔性衬底115。在此，因为在分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121的周围，由有机化合物形成的粘合剂105和粘合剂114粘在一起，所以在该区域中紧密性高。
下面，将粘合剂105以及粘合剂114粘在一起的区域，即第一柔性衬底106、粘合剂105、粘合剂114、第二柔性衬底115层叠的区域用切断装置112切断。结果，如图3E所示，可以制造由分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、薄膜集成电路121、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a构成的半导体装置122。
在此处的半导体装置122的端部，分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部和薄膜集成电路121的端部位于第二柔性衬底115a的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121和分离了的粘合剂114a的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。作为切断装置112，可以适当地使用实施方式1所示的装置。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，在图3A中第一柔性衬底106与元件形成层104接触，并且在图3D中第二柔性衬底115与第一柔性衬底106、分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121的端部接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a和分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
注意，在图3A中，也可以在元件形成层104上设置有机树脂层。此后，在图3C中，将绝缘层103、元件形成层104的一部分有选择地去掉来使有机树脂层的一部分露出。此后，使用粘合剂114将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111以及露出的有机树脂层贴在一起。此后，在图3D中，使用切断装置112将有机树脂层和粘合剂接触的区域，即第一柔性衬底106、粘合剂105、有机树脂层、粘合剂114、第二柔性衬底115层叠的区域切断。
结果，可以提供如图4所示的半导体装置124。分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的有机树脂层123、薄膜集成电路121、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a层叠而形成该半导体装置124。在此处的半导体装置124的端部，分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部和薄膜集成电路121的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的粘合剂114a的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的有机树脂层123、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，可以得到具有如下结构的半导体装置。即，在该半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a、分离了的有机树脂层123、分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
此外，如图5A所示，跟实施方式1同样地，在衬底101上形成剥离层102，在剥离层102上形成绝缘层103，在绝缘层103上形成元件形成层104，在元件形成层104上形成有机树脂层107。然后，使用粘合剂105将第一柔性衬底106与有机树脂层107粘在一起。
下面，如图5B所示，跟实施方式1同样地，将绝缘层103从剥离层102剥离。
下面，如图5C所示，有选择地去掉绝缘层103、元件形成层104、以及有机树脂层107的各一部分来使粘合剂105的一部分露出，而形成分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、以及分离了的有机树脂层141。也在本实施方式中，优选将在元件形成层104中的形成薄膜集成电路的区域的周边部分、以及形成在该区域中的绝缘层以及有机树脂层有选择地去掉。
下面，如图5D所示，使用粘合剂114将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、有机树脂层141以及粘合剂105的露出部分贴在一起。可以将与粘合剂105以及第一柔性衬底106同样的材料分别适当地使用于粘合剂114以及第二柔性衬底115。在此，因为在分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121的周围，粘合剂105和粘合剂114粘在一起，所以在该区域中紧密性高。
下面，将粘合剂105、粘合剂114、第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115粘在一起的区域使用切断装置112切断，并且，如图5E所示，可以制造由分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的有机树脂层141、薄膜集成电路121、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a构成的半导体装置142。
在此处的半导体装置142的端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121以及分离了的有机树脂层141不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部、薄膜集成电路121的端部和分离了的有机树脂层141的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的有机树脂层141和分离了的粘合剂114a的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂105a、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面分别露出。因此，在该端部各层的紧密性高。作为切断装置112，可以适当地使用实施方式1所示的装置。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106及第二柔性衬底115时，在图5A中第一柔性衬底106与有机树脂层107接触，并且在图5D中第二柔性衬底115与第一柔性衬底106、分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121的端部、以及分离了的有机树脂层107的端部接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂114a和分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
根据本实施方式，可以提供一种夹持薄膜集成电路的柔性衬底的紧密性高的半导体装置的制造方法。结果，可以制造具有防水性的半导体装置。即，可以制造可靠性高的半导体装置。
实施方式3在本实施方式中，参照图6A至6E和图7，而说明跟实施方式2不同，除了绝缘层103和元件形成层104以外还蚀刻粘合剂105之后，将柔性衬底贴在分离了的绝缘层111和薄膜集成电路121上的方式。
如图6A所示，跟实施方式1同样地，在衬底101上形成剥离层102，在剥离层102上形成绝缘层103，在绝缘层103上形成元件形成层104。然后，使用粘合剂105将第一柔性衬底106与元件形成层104粘在一起。
下面，如图6B所示，跟实施方式1同样地，将绝缘层103从剥离层102剥离。
下面，如图6C所示，有选择地去掉绝缘层103、元件形成层104以及粘合剂105的各一部分来使第一柔性衬底106的一部分露出，而形成分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121以及分离了的粘合剂131。也在本实施方式中，优选将在元件形成层104中的形成薄膜集成电路的区域的周边部分、以及形成在该区域中的绝缘层以及粘合剂有选择地去掉。
下面，如图6D所示，使用粘合剂114将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的粘合剂131、以及第一柔性衬底106的露出部分贴在一起。可以将与粘合剂105以及第一柔性衬底106同样的材料分别适当地使用于粘合剂114以及第二柔性衬底115。在此，因为在分离了的绝缘层111以及薄膜集成电路121的周围，粘合剂114和第一柔性衬底106粘在一起，所以在该区域中紧密性高。
下面，将粘合剂114以及第一柔性衬底106粘在一起的区域，即第一柔性衬底106、粘合剂114、第二柔性衬底115层叠的区域用切断装置112切断。结果，如图6E所示，可以制造由分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂131、薄膜集成电路121、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a层叠而构成的半导体装置132。
在此处的半导体装置132的端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、以及分离了的粘合剂105a不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的粘合剂131、以及分离了的粘合剂114a的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。作为切断装置112，可以适当地使用实施方式1所示的装置。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，在图6A中第一柔性衬底106与元件形成层104接触，并且在图6D中第二柔性衬底115与第一柔性衬底106、绝缘层103、以及薄膜集成电路121的端部接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a和分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
注意，在图6A中，也可以在元件形成层104上设置有机树脂层。此后，在图6C中，将绝缘层103、元件形成层104、有机树脂层、以及粘合剂105的各一部分有选择地去掉。此后，使用粘合剂将第二柔性衬底115与分离了的绝缘层111以及露出的第一柔性衬底106贴在一起。此后，在图6D中，使用切断装置112将粘合剂114、第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115接触的区域，即第一柔性衬底106、粘合剂114、第二柔性衬底115层叠的区域切断。结果，可以提供如图7所示的半导体装置134。分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂131、分离了的有机树脂层133、薄膜集成电路121、分离了的绝缘层111、分离了的粘合剂114a、以及分离了的第二柔性衬底115a层叠而形成该半导体装置134。
在此处的半导体装置134的端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的有机树脂层133、以及分离了的粘合剂131不露出。换句说话，分离了的绝缘层111的端部、薄膜集成电路121的端部、分离了的有机树脂层133的端部以及分离了的粘合剂131的端部位于第二柔性衬底115a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层111、薄膜集成电路121、分离了的有机树脂层133、分离了的粘合剂131以及分离了的粘合剂114a的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底106a、分离了的粘合剂114a以及分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底106以及第二柔性衬底115时，可以得到具有如下结构的半导体装置。即，在该半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底106a和分离了的第二柔性衬底115a的界面露出。
根据本实施方式，可以提供一种夹持薄膜集成电路的柔性衬底的紧密性高的半导体装置的制造方法。结果，可以制造具有防水性的半导体装置。即，可以制造可靠性高的半导体装置。
实施方式4在本实施方式中，参照图8A至8F、图9A和9B，而说明包括如下步骤的一种方式，即在衬底上层叠剥离层、绝缘层以及元件形成层，并从剥离层剥离绝缘层，且使用粘合剂将第一柔性衬底与绝缘层粘在一起后，将绝缘层至元件形成层的一部分去掉来使粘合剂的一部分露出，将第二柔性衬底贴在一起。
如图8A所示，跟实施方式1同样地，在衬底101上形成剥离层102，在剥离层102上形成绝缘层103，在绝缘层103上形成元件形成层104。接着，将粘合构件108贴在元件形成层104上。
作为粘合构件108，可以使用光学塑性粘合薄膜、热塑性粘合薄膜、压接薄膜等的具有粘合层的构件。注意，可以适当地使用线带、薄板、衬底等代替薄膜。再者，代替粘合构件，还可以利用静电力或吸附力而将线带、薄板、衬底等的构件粘合设置在元件形成层104的表面上。
下面，如图8B所示，跟实施方式1同样地，将绝缘层103从剥离层102剥离。
下面，如图8C所示，使用粘合剂152将第一柔性衬底151与绝缘层103贴在一起。此后，将粘合构件108从元件形成层104剥下。
下面，如图8D所示，有选择地去掉元件形成层104以及绝缘层103的各一部分来使粘合剂152的一部分露出，而且形成分离了的绝缘层154、分离了的元件形成层(以下，也表示为薄膜集成电路153)。也在本实施方式中，优选将在元件形成层104中的形成薄膜集成电路的区域的周边部分、以及形成在该区域中的绝缘层有选择地去掉。
注意，跟元件形成层104以及绝缘层103一起，也可以有选择地去掉粘合剂152的一部分，来使第一柔性衬底151的一部分露出。
下面，如图8E所示，使用粘合剂155将第二柔性衬底156与薄膜集成电路153以及粘合剂152的露出部分贴在一起。可以将与粘合剂105以及第一柔性衬底106同样的材料分别适当地使用于粘合剂155以及第二柔性衬底156。在此，因为在分离了的绝缘层154以及薄膜集成电路153的周围，粘合剂155和粘合剂152粘在一起，所以在该区域中紧密性高。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底151以及第二柔性衬底156时，在图8C中第一柔性衬底151与绝缘层103接触，并且在图8E中第二柔性衬底156与第一柔性衬底151、薄膜集成电路153、以及分离了的绝缘层154的端部接触。此外，在使用该衬底而制造的半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底151a和分离了的第二柔性衬底156a的界面露出。
下面，将粘合剂152、粘合剂155、第一柔性衬底151以及第二柔性衬底156粘在一起的区域用切断装置112切断。结果，如图8F所示，可以制造由分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂152a、分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、分离了的粘合剂155a、以及分离了的第二柔性衬底156a构成的半导体装置157。
在此处的半导体装置157的端部，分离了的绝缘层154以及薄膜集成电路153不露出。换句说话，分离了的绝缘层154的端部和薄膜集成电路153的端部位于第二柔性衬底156a的端部的内侧。即，在端部，分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153以及分离了的粘合剂155a的界面、分离了的绝缘层154、分离了的薄膜集成电路153以及分离了的粘合剂152a的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂155a、分离了的粘合剂152a以及分离了的第二柔性衬底156a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。作为切断装置112，可以适当地使用实施方式1所示的装置。
注意，在图8A中，也可以在元件形成层104上设置有机树脂层之后，将粘合构件108贴在有机树脂层上。此后，在图8D中，将绝缘层103、元件形成层104以及有机树脂层的各一部分有选择地去掉，而使粘合剂152的一部分露出。此后，在图8E中，使用粘合剂155将第二柔性衬底156与分离了的有机树脂层以及粘合剂152的露出部分贴在一起。此后，使用切断装置112将第一柔性衬底151、粘合剂152、粘合剂155以及第二柔性衬底156接触的区域切断。
结果，可以提供如图9A所示的半导体装置159。分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂152a、分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、分离了的有机树脂层158、分离了的粘合剂155a以及分离了的第二柔性衬底156a层叠而形成该半导体装置159。
在此处的半导体装置159的端部，分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153以及分离了的有机树脂层158不露出。换句说话，分离了的绝缘层154的端部、薄膜集成电路153的端部和分离了的有机树脂层158的端部位于第二柔性衬底156a的端部的内侧。即，在端部分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、分离了的有机树脂层158、以及分离了的粘合剂155a的界面、分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、分离了的有机树脂层158、以及分离了的粘合剂152a的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂152a、分离了的粘合剂155a以及分离了的第二柔性衬底156a的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。
当使用表面为热塑性树脂层的衬底作为第一柔性衬底151以及第二柔性衬底156时，可以得到具有如下结构的半导体装置。即，在该半导体装置的端部，分离了的第一柔性衬底151a和分离了的第二柔性衬底156a的界面露出。
进而，在图8A所示的元件形成层104内形成的各薄膜集成电路的表面上形成连接端子，并使用具有起天线作用的多个导电层的衬底作为图8E所示的第二柔性衬底156，且使用各向异性导电粘合剂作为粘合剂155之后，通过利用切断装置112将第一柔性衬底151、粘合剂152、各向异性导电粘合剂、以及第二柔性衬底156接触的区域切断。
结果，可以提供如图9B所示的半导体装置166。分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂152a、分离了的绝缘层154、在其表面上具有连接端子165的薄膜集成电路153、分离了的各向异性导电粘合剂164以及分离了的第二柔性衬底162层叠而形成该半导体装置166。
在此处的半导体装置166的端部，分离了的绝缘层154以及薄膜集成电路153不露出。换句说话，分离了的绝缘层154的端部和薄膜集成电路153的端部位于第二柔性衬底162的端部的内侧。即，在端部分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、以及分离了的粘合剂152a的界面、分离了的绝缘层154、薄膜集成电路153、以及分离了的各向异性导电粘合剂164的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底151a、分离了的粘合剂152a、分离了的各向异性导电粘合剂164、分离了的第二柔性衬底162的界面露出。因此，在该端部各层的紧密性高。
注意，导电粒子163被分散于分离了的各向异性导电粘合剂164中。通过导电粒子163，连接端子165与设置在分离了的第二柔性衬底162上且起天线作用的导电层161电连接。
作为各向异性导电粘合剂164，可以举出如环氧树脂、酚醛树脂等的粘结性树脂。该粘结性树脂包括分散了的导电粒子163(粒径为几nm至几十μm，优选为3至7μm左右)。此外，导电粒子163由选自金、银、铜、钯和铂中的一个元素，或者多个元素形成。此外，也可以使用具有由上述元素构成的多层结构的粒子。再者，也可以使用在由树脂形成的粒子的表面上形成有薄膜的导电粒子。该薄膜由选自金、银、铜、钯和铂中的一个元素，或者多个元素形成。
根据本实施方式，可以提供一种夹持薄膜集成电路的柔性衬底的紧密性高的半导体装置的制造方法。结果，可以制造具有防水性的半导体装置。即，可以制造可靠性高的半导体装置。
实施例1
在本实施例中，参照图13而说明能够无接触地传送数据的半导体装置的结构。
本实施例的半导体装置包括天线部分2001、电源部分2002、逻辑部分2003作为主要的结构部分。
天线部分2001包括为了进行接收外部信号和发送数据的天线2011。此外，作为半导体装置的传送信号的方式，可以使用电磁耦合方式、磁感应方式或微波方式等。
在将电磁耦合方式或者电磁感应方式(例如，13.56MHz频带)应用于半导体装置的信号传送方式的情况下，为了利用磁场密度的改变引起的电磁感应，天线2011的形状可以为如图14A所示的方形线圈状271，或者圆形线圈状(例如，螺旋天线)。此外，天线2011的形状可以为如图14B所示的方形环状272，或者圆形环状。
此外，在应用微波方式(例如，UHF频带(860至960MHz频带)、2.45GHz频带等)的情况下，通过考虑用于信号传送的电磁波的波长，可以适当地设定起天线作用的导电层的长短等的形状。例如，可以使用如图14C所示的直线型偶极状273、曲线型偶极状、或平面形状(例如平板天线)。
电源部分2002包括整流电路2021、存储电容器2022、以及恒压电路2023。所述整流电路2021用通过天线2011从外部接收的信号而制造电源，所述存储电容器2022保持制造了的电源，且所述恒压电路2023制造供给于各个电路的恒定电压。
逻辑部分2003包括将接收了的信号解调的解调电路2031、产生时钟信号的时钟生成/校正电路2032、各代码认识/判定电路2033、根据接收了的信号而产生从存储器读出数据的信号的存储控制器2034、将编码信号调制为接收了的信号的调制电路2035、将读出的数据编码的编码电路2037、以及保持数据的掩模ROM2039。注意，调制电路2035包括调制用电阻2036。
作为存储器2038，适当地使用DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM(静态随机存取存储器)、FERAM(铁电随机存取存储器)、掩模ROM(只读存储器)、EPROM(电可编程只读存储器)、EEPROM(电可擦可编程只读存储器)、快闪存储器、有机存储器等。在此，作为存储器2038，示出掩模ROM2039和可记录存储器2040。该可记录存储器2040包括DRAM、SRAM、FERAM、EPROM、EEPROM、快闪存储器以及有机存储器中的任一个或更多。
各代码认识/判定电路2033所识别及确定的代码为帧结束信号(EOF，End of Frame)、帧起始信号(SOF，Start of Frame)、标志、指令代码、掩模长度、掩模值等等。另外，各代码认识/判定电路2033还包括识别发送错误的循环冗余校验(CRC)功能。
实施例2在本实施例中，参照图10A至10E和图11A至11D而说明能够无接触地传送数据的半导体装置的制造步骤。注意，在本实施例中，示出在实施例1和图13所示的天线以及电源部分2002中的恒压电路2023的一部分、逻辑部分2003中的存储器2038的可记录存储器2040以及时钟生成/校正电路2032的一部分的截面图。此外，作为逻辑部分2003中的时钟生成/校正电路2032的一部分示出n沟道型TFT以及p沟道型TFT，并作为存储器2038的可记录存储器2040示出有源矩阵型的有机存储器，且作为电源部分2002中的恒压电路2023的一部分示出n沟道型TFT。
如图10A所示，在衬底901上形成剥离层902，在剥离层902上形成绝缘层903，在绝缘层903上形成薄膜晶体管904以及将构成薄膜晶体管的导电层绝缘的层间绝缘层905，形成连接到薄膜晶体管的半导体层的源极/漏极906、907以及导电层908。
在此，使用玻璃衬底作为衬底901。作为剥离层902，通过溅射法形成厚度为30nm的钨层。接着，对剥离层902的表面照射N2O等离子体后，通过CVD法分别依次形成厚度为200nm的氧化硅层、厚度为50nm的氮氧化硅层、厚度为100nm的氧氮化硅层而作为绝缘层903。
薄膜晶体管904包括具有源区、漏区和沟道形成区的半导体层、栅绝缘层、栅极。按照各电路的功能，将n沟道型TFT或p沟道型TFT适当地使用于薄膜晶体管904。
半导体层具有结晶结构。对厚度为66nm的非晶硅膜辐照连续振荡激光器的光，或者辐照重复频率为10MHz或更多且脉冲宽度为1纳秒或更小，优选为1至100微微秒的高重复频率的超短脉冲的光，而形成具有结晶结构的半导体膜。此后，使用通过光刻步骤形成的抗蚀剂掩模有选择地蚀刻具有结晶结构的半导体膜，而形成具有结晶结构的半导体层。
作为栅绝缘层，通过CVD法而形成厚度为40nm的氧化硅层。
作为栅极，通过溅射法将厚度为30nm的氮化钽层以及厚度为370nm的钨层依次层叠而形成。
作为将构成薄膜晶体管的导电层绝缘的层间绝缘层905，通过CVD法将厚度为50nm的氧氮化硅层、厚度为100nm的氮化硅层、厚度为600nm的氧氮化硅层分别依次形成。
作为源极/漏极906、907以及导电层908，通过溅射法依次形成钛层、铝层以及钛层后，使用通过光刻步骤形成的抗蚀剂掩模有选择地蚀刻而形成。
注意，形成薄膜晶体管904的同时，可以形成在图13所示的掩模ROM2039。掩模ROM包括多个晶体管。此时，通过将连接到例如晶体管的漏区的布线用的接触孔开或不开，可以写入数据。例如，通过开接触孔，可以将1(接通)的数据(信息)写入到存储单元中，并且通过不开接触孔，将0(不接通)的数据(信息)写入到存储单元中。
在使形成在层间绝缘层905上的光抗蚀剂曝光的步骤中，在使用如分档器等的曝光装置而通过标线(光掩模)进行曝光的步骤之前或之后，对在上述接触孔被开的区域上的光抗蚀剂辐照电子束或激光。此后，跟通常同样，进行显影、蚀刻、光抗蚀剂的剥离等的步骤。通过这样，不交换标线(光掩模)而只选择辐照电子束或激光的区域，就可以将上述开接触孔的图案和不开接触孔的图案分别制造。即，通过选择辐照电子束或激光的区域，就在制造时可以制造不同数据被写入于每个半导体装置的掩模ROM。
通过使用这种掩模ROM，在制造时可以形成每个半导体装置中的固有标识符(UIDUnique Identifier)等。
下面，如图10B所示，形成覆盖薄膜晶体管904、层间绝缘层905、源极/漏极906、907、导电层908的绝缘层911。接着，在绝缘层911上形成导电层912至914，以分别连接到源极/漏极906、907以及导电层908。接着，形成覆盖导电层912以及913的端部的绝缘层915至917。
作为绝缘层911，通过旋涂法涂上非感光性聚酰亚胺，将非感光性聚酰亚胺在300℃下加热后，将非感光性聚酰亚胺有选择地蚀刻，来使源极/漏极906、907以及导电层908的一部分露出。此外，作为绝缘层915至917，通过旋涂法涂上感光性聚酰亚胺，并曝光以及显影感光性聚酰亚胺以使导电层912至914的一部分露出，将感光性聚酰亚胺在300℃下加热且焙烧而形成。注意，使此时的绝缘层915至917的厚度为1.5μm。作为导电层912至914，通过溅射法形成厚度为200nm的钛层后，使用通过光刻步骤形成了的抗蚀剂掩模有选择地蚀刻而形成。
下面，如图10C所示，在导电层914上形成厚度为5至20μm的导电层918。在此，通过印刷法而印刷具有银粒子的组成物，并在200℃下加热30分钟而焙烧组成物以形成导电层918。注意，导电层914和导电层918起天线作用。
注意，也可以由镍层形成导电层914后，将衬底浸在包含Cu的镀液中，且通过电镀法而形成导电层918。因为Ag很贵，所以通过使用Cu的电镀法而形成导电层918，就可以削减成本。
下面，如图10D所示，在导电层912、913以及覆盖其端部的绝缘层916、绝缘层915以及绝缘层917的一部分上气相沉积包含有机化合物的层919，并在包含有机化合物的层919上气相沉积导电层920。由导电层912、包含有机化合物的层919以及导电层920可以形成存储元件。作为包含有机化合物的层919，可以使用通过隧道效应从导电层920或导电层912将空穴或电子的电荷注入到含有有机化合物的层919的层(厚度为1nm以上4nm以下(包括1nm和4nm))、以及包括具有空穴传输性的有机化合物或具有电子传输性的有机化合物的层来形成。在此，作为包含有机化合物的层919，通过用金属掩模的气相沉积法形成厚度为1nm的CaF2层之后，形成厚度为10nm的NPB层。作为导电层920，通过用金属掩模的气相沉积法将厚度为10nm的In-Sn合金层和厚度为100nm的铝层层叠而形成。
注意，作为包含有机化合物的层919可以使用以LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、SrF2、BaF2、AlF3、NF3、SF6、AgF、以及MnF3等为典型的具有绝缘性的氟化物；以LiCl、NaCl、KCl、BeCl2、CaCl2、BaCl2、AlCl3、SiCl4、GeCl4、SnCl4、AgCl、ZnCl2、TiCl4、TiCl3、ZrCl4、FeCl3、PdCl2、SbCl3、SbCl2、SrCl2、TlCl3、CuCl、CuCl2、MnCl2、以及RuCl2等为典型的具有绝缘性的氯化物等，而代替CaF2。此外，还可以使用酞菁(缩写H2Pc)、酞菁铜(缩写CuPc)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(缩写TPD)、三(8-喹啉醇合)铝(缩写Alq3)、双(2-甲基-8-喹啉醇合)(4-苯基苯酚)铝(缩写BAlq)、红菲咯啉(缩写BPhen)、浴铜灵(缩写BCP)、聚乙烯咔唑(缩写PVK)、2，3-双(4-二苯基氨基苯基)喹喔啉(缩写TPAQn)、2，7-二(N-咔唑基)-螺-9，9’-联芴(缩写SFDCz)、TPQ、9，10-二(2-萘基)-2-tert-丁基蒽(缩写t-BuDNA)等，而代替NPB。
本实施例的存储元件通过将电压施加到导电层912、920而改变存储元件的电阻，就可以写入数据。此外，通过由透光性导电层诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、包含氧化硅的ITO形成导电层920，并对存储元件辐照激光或电子束，而改变存储元件的电阻，就可以写入数据。再者，通过测定存储元件的电阻，就可以读出数据。
下面，如图10E所示，在绝缘层911、绝缘层915至917、导电层920、导电层928上形成由有机树脂或聚合物形成的厚度为5至10μm的绝缘层922。绝缘层922起密封材料作用，且可以防止杂质从外部侵入到薄膜晶体管904。此外，通过设置绝缘层922，可以防止在后面的剥离步骤中，在薄膜晶体管904、起天线作用的导电层914、918、形成存储元件921的层中发生裂缝，而可以提高成品率。在此，通过印刷法来印刷环氧树脂，且在160℃下加热30分钟而形成绝缘层922。
下面，将第一柔性衬底924贴在绝缘层922上。在此，使用具有由热塑性材料形成的层923的PET薄膜作为第一柔性衬底924。此外，通过在80至120℃下将第一柔性衬底924热压力粘结而使热塑性材料可塑化后使它冷却到室温，夹着由热塑性材料形成的层923将绝缘层922与第一柔性衬底924粘结。
在此，将从绝缘层903到绝缘层922的叠层体作为元件形成层925。
下面，如图11A所示，在剥离层902和绝缘层903的界面，通过物理办法将具有剥离层902的衬底901以及元件形成层925剥离。在本实施例中，在剥离层和绝缘层之间形成金属氧化膜，并在该金属氧化膜中使用物理办法将元件形成层925剥离。在本实施例中，物理办法指的是在衬底901的表面上设置粘合层并使它固定，且使具有粘合层的滚子转动在第一柔性衬底924上，来将第一柔性衬底924贴在具有粘合层的滚子上，而且可以在剥离层902和绝缘层903之间分离的办法。
下面，如图11B所示，在元件形成层925中，将从形成薄膜集成电路的区域的周边部分的绝缘层903到绝缘层922(即，绝缘层903、层间绝缘层905、绝缘层911、绝缘层915以及绝缘层922)的一部分分别去掉。在本实施例中，对从绝缘层903到绝缘层922(即，绝缘层903、层间绝缘层905、绝缘层911、绝缘层915以及绝缘层922)的一部分辐照激光而去掉。作为激光，使用YAG激光器的第四高次谐波(波长为266nm)。注意，辐照激光后，在激光被辐照的区域中，绝缘层922的一部分露出。将一部分被去掉的绝缘层922表示为绝缘层926，将一部分被去掉的绝缘层903表示为绝缘层927。
下面，如图11C所示，将第二柔性衬底934与绝缘层927以及绝缘层926贴在一起。在此，跟第一柔性衬底924同样，使用具有由热塑性材料形成的层933的PET薄膜作为第二柔性衬底934。此外，跟第一柔性衬底924同样地，将第二柔性衬底934通过热压力粘结来使热塑性材料可塑化后，使它冷却到室温，夹着由热塑性材料形成的层933将绝缘层927以及绝缘层926与第二柔性衬底934粘结。在此，第一柔性衬底924、由有机树脂层形成的绝缘层926以及第二柔性衬底934都由有机化合物形成，而且它们被粘结。因此，在第一柔性衬底924、由有机树脂层形成的绝缘层926以及第二柔性衬底934的界面的紧密性高。
下面，对第一柔性衬底924、绝缘层926以及第二柔性衬底934接触的区域辐照激光935，而由第一柔性衬底924以及第二柔性衬底934夹持的层分割为多个。结果，制造如图11D所示的半导体装置936。该半导体装置936中，分离了的绝缘层927和分离了的由热塑性材料形成的层933的界面、或分离了的层间绝缘层905和分离了的由热塑性材料形成的层933的界面等的紧密性不好的界面不露出，而分离了的第一柔性衬底941、分离了的由热塑性材料形成的层942、分离了的绝缘层943、分离了的由热塑性材料形成的层944、分离了的第二柔性衬底945的界面露出。在此，使用YAG激光器的第四高次谐波(波长为266nm)作为激光935。
通过上述步骤，可以制造能够无接触地传送数据而且可靠性高的半导体装置。
实施例3在上述实施例中所示的能够无接触地传送数据的半导体装置的用途是很广泛的。例如，可通过在诸如纸币、硬币、有价证券、无记名债券、证书(驾驶证或居民卡等，参照图15A)、包装用容器(包装纸或瓶子等，参照图15C)、记录介质(DVD软件或录像带等，参照图15B)、交通工具(自行车等，参照图15D)、个人物品(袋子或眼镜等)、食品、植物、衣物、生活用品、电子器具等的商品、以及行李的行李标签(参照图15E和15F)等的物品上提供来使用。还可以将半导体装置安装在动物、人体上或将半导体装置嵌入于动物、人体中。注意，电子器具指的是液晶显示器件、EL显示器件、电视器件(也简称为电视、电视机或电视接收机)、以及手机等。
本实施例的半导体装置9210通过安装在印刷电路板上、附着在表面上、或嵌入在内部，来固定在物品上。例如，通过将半导体装置嵌入在纸中来固定在书上，或通过将其嵌入在有机树脂中来固定在由有机树脂构成的包裹上。因为本实施例的半导体装置9210可以实现小型化、薄型化、以及轻量化，所以可以不损害物品本身的设计地将半导体装置固定到物品中。并且，当在纸币、硬币、有价证券、无记名债券、证书等上提供本实施例的半导体装置9210时，可以提供认证功能，并且通过利用该认证功能，就可以防止伪造。此外，当在包装用容器、记录介质、个人物品、食品、衣物、生活用品、以及电子器具等上提供本实施例的半导体装置9210时，可以谋求实现检查系统等系统的效率的提高。
本说明书根据2005年12月2日在日本专利局受理的日本专利申请编号2005-348968而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
权利要求
1.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成包括有机化合物层的元件形成层；将第一柔性衬底贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层的一部分去掉以将所述无机绝缘层分离得成为多个部分，并且使所述元件形成层的所述有机化合物层的一部分露出；将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述元件形成层的所述有机化合物层的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中还包括如下步骤在所述元件形成层以及所述第一柔性衬底之间形成有机树脂层。
3.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；将第一柔性衬底贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述第一柔性衬底的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
4.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述第一粘合剂的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
5.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；在所述元件形成层上形成有机树脂层；将第一柔性衬底贴在所述有机树脂层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述有机树脂层的一部分露出；将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述有机树脂层的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
6.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；在所述元件形成层上形成有机树脂层；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在所述有机树脂层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层、所述元件形成层以及所述有机树脂层的一部分去掉以将所述无机绝缘层、所述元件形成层以及所述有机树脂层分离得成为多个部分，并且使所述第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述第一粘合剂的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
7.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；将第一柔性衬底贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述第一柔性衬底的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，它还包括如下步骤在所述元件形成层以及所述第一粘合剂之间形成有机树脂层。
9.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；将粘合构件贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；将第一柔性衬底贴在所述无机绝缘层上；将所述粘合构件去掉；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述第一柔性衬底的一部分露出；将第二柔性衬底贴在所述分离了的元件形成层以及所述第一柔性衬底的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
10.一种半导体装置的制造方法，它包括如下步骤在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成元件形成层；将粘合构件贴在所述元件形成层上；将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出；使用第一粘合剂将第一柔性衬底贴在所述无机绝缘层上；将所述粘合构件去掉；将所述无机绝缘层以及所述元件形成层的一部分去掉以将所述无机绝缘层以及所述元件形成层分离得成为多个部分，并且使所述第一粘合剂的一部分露出；使用第二粘合剂将第二柔性衬底贴在所述分离了的元件形成层以及所述第一粘合剂的露出部分上；以及在去掉所述无机绝缘层的区域中将所述第一柔性衬底以及所述第二柔性衬底切断。
11.一种半导体装置，它包括第一柔性衬底；与所述第一柔性衬底接触的薄膜集成电路；与所述薄膜集成电路接触的绝缘层；以及与所述绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，所述薄膜集成电路和所述绝缘层的界面，以及所述绝缘层和所述第二柔性衬底的界面不露出。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底的端部和所述第二柔性衬底的端部露出。
13.一种半导体装置，它包括第一柔性衬底；第二柔性衬底；夹持在所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的薄膜集成电路；以及夹持在所述第二柔性衬底和所述薄膜集成电路之间的绝缘层，其中，所述绝缘层的端部设置在所述第二柔性衬底的端部的内侧。
14.一种半导体装置，它包括第一柔性衬底；第二柔性衬底；夹持在所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的薄膜集成电路；以及夹持在所述第二柔性衬底和所述薄膜集成电路之间的绝缘层，其中，所述绝缘层的端部不露出。
15.一种半导体装置，它包括第一柔性衬底；第二柔性衬底；夹持在所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的薄膜集成电路；夹持在所述第二柔性衬底和所述薄膜集成电路之间的绝缘层；以及夹持在所述第二柔性衬底和所述绝缘层之间的粘合剂，其中，所述粘合剂与所述第一柔性衬底接触。
16.一种半导体装置，它包括第一柔性衬底；第二柔性衬底；夹持在所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底之间的薄膜集成电路；夹持在所述第一柔性衬底和所述薄膜集成电路之间的第一绝缘层；夹持在所述第二柔性衬底和所述薄膜集成电路之间的第二绝缘层；以及夹持在所述第二柔性衬底和所述第二绝缘层之间的粘合剂，其中，所述粘合剂与所述第一绝缘层接触。
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底的端部和所述第二柔性衬底的端部露出。
18.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底的端部和所述第二柔性衬底的端部露出。
19.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底的端部和所述第二柔性衬底的端部露出。
20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底的端部和所述第二柔性衬底的端部露出。
21.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述第一柔性衬底包括有机树脂。
22.根据权利要求16所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层包括有机树脂。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法，包括如下步骤在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层；将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离；将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分，并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多；以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。
文档编号H01L27/12GK1976011SQ20061016378
公开日2007年6月6日 申请日期2006年12月4日 优先权日2005年12月2日
发明者山田大干 申请人:株式会社半导体能源研究所