技术编号:7214703
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在维持耐压特性的同时缩小装置尺寸的。背景技术 作为现有半导体装置的一例已知下面的NPN晶体管131的结构。如图17所示,是在P型半导体衬底132上形成有N型的外延层133。在外延层133上形成从衬底132表面向上下方向(深度方向)扩散的P型埋入扩散层134、135和从外延层133表面扩散的P型扩散层136、137。外延层133通过连结P型埋入扩散层134、135和P型扩散层136、137而成的分离区域138、139而被划分成多个元件形成区域。在元...
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