技术编号:7215740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关一,特别是有关一避免存储器间产生遗漏电流的。背景技术为降低电阻值以增进集成电路效率,常会在电路与元件表面上沉积一硅化金属层,比如钛化硅。而不宜降低电阻值的区域则必须避免形成硅化金属于其表面上,比如同一字元线上存储器间的间隔区域。传统的形成方法如图1所示首先,有一硅底材100,在此底材100上,至少有二个区域一为阵列(array)区域101,另一为周边(periphery)区域102。在阵列区域101内,有一介电层105,比如ONO层,在底材上。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。