技术编号:7217238
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件(Semiconductor Device)的结构及其制造方法,且特别涉及一种在源/漏极接面(S/D junction)以及信道下方配置一绝缘间隙壁的。为了适应上述元件缩小所产生的短信道效应以及击穿漏电流(punch-through leakage)的问题,内存元件的轻掺杂漏极接面(lightlydoped drain junction)必须随之变轻。轻掺杂漏极接面变轻固然能改善短信道效应的问题,但由于轻掺杂漏极接面的深度变得较浅,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。