技术编号:7219183
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体结构,尤其涉及可以提高沿着金属氧化物半导体晶体管的沟道方向的应力的一种半导体结构。背景技术在一般的半导体工艺中,于金属氧化物半导体晶体管制作完成之后,会于基底上形成一层应力层,以增加电子或空穴在金属氧化物半导体晶体管的沟道中的迁移率(mobility)。在线宽为65纳米以下的半导体工艺中,对于P型金属氧化物半导体晶体管来说,可在基底上形成一层具有压缩应力(compressive stress)的应力层,以在P型金属氧化物半导体晶体管...
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