技术编号:7220660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基 二极管以及这种器件的制造工艺。 背景技术肖特基二极管为大家所熟知并通过不同的布图技术制造,包括如Bantval Baliga的美国专利5,612,567中典型示出的沟槽布图。沟槽肖特基二极管的 制造工艺需要大量的掩模层和制造步骤。然而,本发明人的美国专利申请 10/193,783给出了用于制造沟槽肖特基二极管的发明工艺,其中只需要简少 的步骤和较少的掩模层。参考附图,其中相同参考数字指相同元件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。