技术编号:7221271
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件及其制造方法。更特别地,本发明 涉及具有可随机访问存储位置的双晶体管(2-Tr)半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(S0N0S)沟槽存储单元及其制造方法。本发 明提供了 2-Tr S0N0S沟槽存储单元,其中选择栅位于沟槽结构中并 且存储栅位于半导体衬底的表面上,或者选择栅与存储栅二者均位 于沟槽结构中。背景技术传统的闪存产品采用浮栅技术,其中存储状态由存储在绝缘但 导电的层中的电荷表示,该绝缘但导电的层位于控制栅电极与器件 沟...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。