技术编号:7222328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。001本发明针对的是具有铜电学互连结构的半导体器件的制造。背景技术002在集成电路半导体器件中越来越多地使用铜来制作电学互连。 然而,铜的这种使用在器件制作工艺中可能面临困难。例如,当铜被 蚀刻时,其可能在半导体器件上或者处理腔室中的其他地方重新沉积。 铜原子还容易扩散到含硅的电介质层中。由铜在不需要的位置上引起 的污染可以使集成电路的性能退化或破坏。003减少与铜蚀刻和扩散相关的问题的现有方法是在沉积铜之前沉 积阻挡层。该阻挡层用来阻止铜原子迁移到半导体...
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