技术编号:7222604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的制造方法。 背景技术日本特开2003-318398(JP2003318398)号公报公开了 一种传 统的作为j吏用异质界面(hetero interface)的场效应晶体管的碳 化硅半导体装置。在JP2003318398中,施加到栅电极40的电压 控制异质界面的势垒厚度(barrier thickness),从而当元件导通 (ON)时,通过隧道电流(tunnel current)传送载流子(carrier)u JP20033183...
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