技术编号:7223041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及半导体器件,更具体地涉及采用填充有多晶半导 体的一个或多个沟槽的半导体器件。背景技术众所周知半导体(sc)器件有许多限制。这些限制取决于器件类型和工作条件。这些限制的非限制性实例是导通(ON)电阻、击 穿电压、散热性能、衬底漏电流、能量处理性能、器件面积等等。许 多这些限制在横向和垂直器件中受到特别关注。因此,存在改进半导 体器件的持续需求,尤其是必须处理实质功率或电压或者二者的器 件。发明内容因而,期望提供垂直型器件和横向型器件的改进的半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。