技术编号：7223083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到半导体器件的制作方法，更确切地说是涉及到在生产半导体器件过程中利用化学机械抛光(CMP)操作来降低来自多晶硅掩模的形貌变化的方法。就性能而言，合并的动态随机存取存储器(DRAM)-逻辑电路(例如所谓的“混合电路”)提供了可能潜在的优点。但为了获得高性能(例如更高的速度)，在逻辑电路中需要薄的栅介质，而为了获得高的成品率，在DRAM阵列中则需要厚的栅氧化物。如所述，在常规工艺中，例如在此处列为参考的美国专利No．5668035中，以及如图6A...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。