技术编号：7223340
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体器件，以及更具体而言，涉及具有源-漏 扩展反掺杂的半导体器件。背景技术越来越需要更低功率的半导体器件以降低集成电路，诸如存储器 的功率要求。通常利用位单元实现存储器件，诸如SRAMS，位单元 性能是包括用于实现位单元的半导体技术的许多参数的函数。尤其 是，SRAM位单元功能性和性能取决于位单元的写裕量(write margin)。更高的写裕量能够使人们利用较低的电压改变位单元的状 态。较低的电压相应地导致由位单元和由此由使用位单元的存储...
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