技术编号:7223548
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于FinFET的非易失性存储器。 同时,本发明涉及一种制造该存储器的方法。背景技术出于尺寸的原因,在65nin及以下设计规则器件中使用平面M0SFET 结构由于所谓的短沟道效应而变得越来越复杂。应用finFET结构可以获得器件的性能的提高。在finFET中,绝缘层(相对较窄)顶部上,在源和漏区之间产生 硅线(鳍)作为沟道。然后,产生穿过鳍的线形控制栅极。通过一个薄 栅氧化膜与鳍隔离的所述控制栅极围绕(在截面上)在所述鳍的侧壁和 顶部外面,以...
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