技术编号:7224015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体工艺,并且特别地涉及具有不同器件区 域的半导体结构。背景技术伴随半导体工艺的技术进步,器件在尺寸上持续縮小。然而,在 器件尺寸縮小的同时,这些器件中的迁移率典型地劣化,原因是,例 如,需要改善的沟道掺杂来控制漏电流。为了改善由于器件縮小而劣化的迁移率,形成有器件的硅可被应变。例如,对于n型器件,硅被 拉伸应变从而改善迁移率,对于p型器件,硅被压縮应变从而改善迁 移率。应该注意的是,硅的特定的应变影响器件性能,其中取决于所 施加的应变,...
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