技术编号：7224022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种交叉点结构的半导体存储装置，该半导体存储装置 具有在相同方向上延伸的多个第一电极布线、与该第一电极布线交叉的 多个第二电极布线、用于在第一电极布线和第二电极布线的交点处存储 数据的存储材料体。背景技术通常，对于DRAM、 NOR型闪存、FeRAM等半导体存储装置来说，构成一个存储单元。相对;此，交叉点结构的存储单元废弃该选择晶体 管而仅配置在位线和字线的交点(交叉点)出存储数据的存储材料体来 形成。对于该交叉点结构的存储单元构成来说，由于不使...
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