技术编号:7224260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。交叉引用本申请要求于2005年11月23日提出的美国临时专利申请SN60/739,528和于2006年2月1日提出的美国临时专利申请SN60/764,128的优先权,这里通过引用将这两篇专利申请整体并入本文。政府权益声明本工作受到自然科学基金拨款DMR-0221993的支持,因此美国政府在本发明中享有一定权利。发明领域 本发明一般而言涉及化学、光电子、硅锗合金、半导体结构领域,以及相关的方法和器件。 背景技术 Si(100)上的具有高Ge含量的异质外...
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