技术编号:7224377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。本发明尤其涉 及一种在从碳化硅单晶基片表面生长的碳化硅外延膜的表面上设置有 肖特基电极,在肖特基电极的上面,设置有用于与外部进行电连接的焊线电极(pad electrode )的肖特基势垒二极管。 背景技术由于与Si相比,碳化硅(SiC)是带隙约为3倍、饱和漂移速度约 为2倍、绝缘击穿电场强度约为IO倍的具有优良物理特性的宽禁带半 导体,因此作为电力用半导体装置的材料,其开发正在不断进行,现 在使用SiC的肖特基势垒二极管已经上市了 。图3...
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