技术编号:7224448
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体地,涉及一种用于增强MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)的性能和可靠性 的技术,其中该MOSFFET利用高介电常数材料作为栅绝缘膜且利用硅 化物材料作为栅电极。背景技术随着需要越来越小的晶体管的尖端CMOS (互补MOS)的发展, 引起了许多问题,由于多晶硅(poly-SO电极的耗尽导致驱动电流衰 退,并且由于栅绝缘膜变薄导致栅漏电流增加。考虑到这些问题,研 究了下述结合技术,即,通过采用金属栅电极以避免电极耗尽,以及 通过...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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