技术编号:7224621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件,更具体地涉及一种具有存储层的背 栅半导体器件及其形成方法。背景技术传统的单栅极和双栅极完全耗尽型绝缘半导体晶体管(FDSOI) 有与减轻短沟道效应和减小无用寄生电容相关的优点。然而,当被用 作非易失性存储器时,这些晶体管需要编程,例如热载流子注射(HCI) 编程。由于碰撞电离,HCI编程导致空穴的产生。然而,由于在这些 FDSOI器件中的本体(body)的浮动本质,碰撞电离产生的空穴会在 这些FDSOI器件的本体中蓄积。蓄积的空穴...
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