技术编号：7225055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用以最小化n型掺杂物的表面活性剂行为的经沉积垂直半导体层堆 叠，和制造所述层堆叠的方法。背景技术在硅的沉积期间，例如磷和砷的n型掺杂物倾向于去往在沉积硅层时经由硅层而升 高的表面。如果需要紧接在重度掺杂n型层上方沉积具有极少n型掺杂物或无n型掺杂 物的层(例如，未掺杂或p掺杂层)，则n型掺杂物原子朝向表面扩散的此趋势将非所 要的掺杂物引入未掺杂或p掺杂层中。此非所要的n型掺杂物可不利地影响装置行为。因此，需要限制n型掺杂物在经沉积硅和硅合金中...
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