技术编号:7225066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种用于降 低碳化硅场效应晶体管中的通态电阻而实现高性能化的技术。背景技术作为下 一代的高耐压低损失开关元件,纵型高耐压碳化硅场效应晶体管为人们所期待。该元件,例如专利文献l所示的那样,具备 在存在于碳化硅基板的漂移层(第2外延层)的基板表面附近通过光 刻技术和离子注入技术制成的阱区、源区以及存在于被一对阱区夹着 的栅电极下的JFET区域(电流控制区)。作为碳化硅半导体装置、特别是纵型高耐压碳化硅场效应晶体管 的高性能化的一个手段,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。