技术编号:7225549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器件。更具体而言,本发明涉及一种具有 改进的凹式沟道晶体管的半导体器件以及一种用于制造该半导体器 件的方法。背景技术由于半导体器件的设计规格縮小,所以控制短沟道效应("SCE") 是困难的。因此,已经提出了例如凹式沟道晶体管以及鳍形沟道晶体 管等多沟道场效应晶体管("McFET"),以增加单元晶体管的沟道 长度。发明内容本发明的实施例涉及具有改进的凹式沟道晶体管的半导体器 件。根据本发明的一个实施例,该改进的凹式沟道晶体管具有凹式沟 道结...
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