技术编号：7225979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其涉及一种在利用SBSI法形成的半导体装置中可减少SOI形成区域的凹陷(dishing)量的技术。背景技术 近年来在半导体领域，绝缘体上硅结构(silicon on insulator)等在绝缘膜基板上的半导体膜形成器件的技术开发正在盛行。尤其是形成于SOI基板的器件(即，SOI器件)具备可实现低耗电、高速、且低电压驱动的可能性。作为SOI基板的制造方法，例如公知有SIMOX(Separation byImplanted Oxygen)法、和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。