技术编号:7227407
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制作工艺,尤其是一种控制栅氧化层厚度的方法 及半导体器件的制作方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,为了达到更快的运算速度、更大的数 据存储量以及更多的功能,半导体芯片朝向更高的器件密度、高集成度方向 发展。半导体器件通常包括作为存储器的核心器件和作为逻辑器件的外围电路,其制作方法例如专利号为6797565的美国专利所描述,首先,提供半导体 衬底,所述半导体衬底包括核心器件区域和外围电路区域,在半导体衬底的 外围电路部分形成隔离结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。