技术编号：7227666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种。技术背景随着半导体制造技术的飞速发展，为了达到更快的运算速度、更大的数 据存储量以及更多的功能，半导体芯片朝向更高的器件密度、高集成度方向 发展。大部分半导体芯片的外围电路需要采用高压输入/输出器件，而核心器 件如各种存储器件则需要在低压下运行，为了实现器件性能的最大化，核心器件的沟道长度变短，产生了短沟道区域以及短沟道效应。为了避免短沟道效应，通常采用轻掺杂源/漏极(lightly doped source/drain, ...
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