技术编号：7227699
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种集成电路的制造方法，特别是一种。背景技术 半导体制造技术的发展推动了具有多层互连线的集成电路的发展。对于高端集成电路，金属互连层数多达8～9层，这样金属导线间的电容、层间电容和金属导线的电阻增大，从而导致布线RC延迟的增加，限制了芯片的处理速度。为了提高芯片的速度和降低布线的RC延迟，一方面金属导线要用铜替代铝；另一方面要降低金属互连层间绝缘层的介电常数k，即要用低k绝缘层替代SiO2层(k＝3.9～4.2)，低k绝缘层可降低绝缘层所产生...
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