专利名称：全局互连铜镂空结构的制造方法
技术领域：
本发明涉及的是一种集成电路技术领域的制造方法，特别是一种全局互连铜镂空结构的制造方法。
背景技术：
半导体制造技术的发展推动了具有多层互连线的集成电路的发展。对于高端集成电路，金属互连层数多达8～9层，这样金属导线间的电容、层间电容和金属导线的电阻增大，从而导致布线RC延迟的增加，限制了芯片的处理速度。为了提高芯片的速度和降低布线的RC延迟，一方面金属导线要用铜替代铝；另一方面要降低金属互连层间绝缘层的介电常数k，即要用低k绝缘层替代SiO2层(k＝3.9～4.2)，低k绝缘层可降低绝缘层所产生的寄生电容。
当集成电路技术进步到90nm以下技术时代时，多孔低k介质(＜2.7)的采用将成为重要问题，人们对低k介质与Cu的互连集成技术研究很多，低k材料除了其低的k值可以保证获得小的互连电容外，还需要好的介电性和好的机械力学特性、与其他互连材料如Cu及势垒层材料的性质兼容、能够与IC工艺兼容(如后续的清洁、刻蚀、研磨抛光、热处理等工艺)、能够在器件特定工作条件下高可靠性地工作。多孔低k介质的机械强度往往不能满足后续工艺的需要，通孔和沟槽的刻蚀及刻蚀后的清洗问题是低k介质材料技术中的技术难点。相比低k多孔介质而言，另外一种降低互连电容的方法是在互连结构中引入气隙，即介质层和空气是分开的。
经对现有技术文献的检索发现，Z.Gabric等人于Proc.2004 IEEE(international connect technology conference)(美国电气电子工程师学会2004年国际互连技术会议)第151-153页中所提出的“Air gap technology byselective Ozone/TEOS deposition”(选择性沉积Ozone/TEOS的气隙互连技术)，这种方法使相连金属间的电容比没有气隙的互连结构减小了两个数量级。然而，空气间隙形成时，金属线内壁和空气间隙间有一层SiO2边墙，边墙太厚则使电容增加，太薄则不能有效防止金属线间形成的电迁移，因此需要优化边墙厚度，工艺复杂。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种全局互连铜镂空结构的制造方法，即将MEMS(微机电系统)技术中常用的牺牲层技术应用到铜互连结构的制造工艺中，使其全局互连导线通过牺牲层技术镂空，这种互连不但可以将电介质的介电常数大幅度降低到很低水平，而且由于实际上阻断了互连引线之间的联系通道，避免导体材料的扩散迁移。
本发明是通过如下技术方案实现的，具体包括如下步骤(1)掩膜电镀，形成图形化的铜柱子(即互连铜线)首先在清洗干净的单面氧化硅衬底上光刻，再采用磁控溅射法(常规操作)沉积20nm～50nm的阻挡层，丙酮去胶，形成图形化的阻挡层；接着再溅射70nm～110nm厚度的种子层(即底膜)，光刻，在有阻挡层的上方电镀铜柱子(即铜线)去除光刻胶，干法刻蚀去除底膜(即等离子体刻蚀底膜)，形成分立的铜线图形。
(2)形成互相绝缘的分立通孔图形在分立的铜线间填充牺牲层，研磨抛光使表面平坦化并露出铜线；溅射种子层，再光刻形成通孔图形，以光刻胶为掩膜电镀通孔，去胶；以铜为掩膜，同上用干法刻蚀去除通孔之外的底膜，形成互相绝缘的分立通孔图形。
(3)再次电镀上层铜柱子在分立的通孔图形间再次填充牺牲层，研磨抛光至露出铜通孔，再溅射种子层，光刻形成上层沟槽，在沟槽里电镀上层铜柱子，铜柱高度与胶持平，再溅射上层保护层。
(4)形成镂空互连结构用丙酮去光刻胶，干法刻蚀去除底膜，将浓磷酸放在水浴锅中加热到60℃～80℃，再将互连结构浸泡在浓磷酸中以去除牺牲层，形成全局互连铜镂空结构。
所述的阻挡层，是指能阻挡金属扩散并与介质层具有较好粘结性的金属层，可选择钽(Ta)、氮化钽(TaN)或氮化钨钽(TaWN)。采用磁控溅射或化学气相沉积的方法制备。
所述的种子层，是指磁控溅射沉积的CrCu薄膜，其中铬作为粘结层。
所述的干法刻蚀去除底膜，具体条件是本底真空2.0*10-6mbar，工作压力0.02mbar，刻蚀气体高纯氩气，流量70sccm，功率750W。
所述的填充牺牲层，其牺牲层是指磁控溅射的氧化铝薄膜或旋涂的聚酰亚胺层。若牺牲层是磁控溅射的氧化铝薄膜，则溅射氧化铝条件为本底真空2.0×10-4Pa，溅射气压2.67Pa，功率4KW；若牺牲层是聚酰亚胺，则是通过旋涂填充，具体条件是用程控烘箱，从室温缓慢升温到90℃，保温1h，再0.5h升到130℃，保温0.5h，最后1h升到150℃，保温1h，以保证后续抛光时有一定的强度，而且要防止后面干法刻蚀去除底膜时温度升高导致聚酰亚胺变性而难以去除。
所述的氧化铝薄膜，其结构是柱状非晶态，其厚度与铜柱(或通孔)高度一样，可以避免在以后的研磨抛光过程中由于牺牲层和铜的硬度差别大导致图形损坏。选择性去除牺牲层时，去氧化铝时所用腐蚀液是水浴加热的浓磷酸。牺牲层是聚酰亚胺时，用温热的稀氢氧化钠溶液去除。
所述的溅射上层保护层，其溅射条件为本底真空5×10-5Pa，流量30sccm，功率100W。
所述的上层保护层，其材料是磁控溅射的钨。
所述的去除牺牲层，是指若牺牲层是氧化铝时，采用水浴加热浓磷酸去除牺牲层；牺牲层是聚酰亚胺时，采用温热的稀氢氧化钠溶液去除牺牲层。
本发明的原理及有益效果本发明针对互连延迟的主要部分，即全局互连部分，提供形成镂空铜互连结构的方法，即采用与局域互连完全不同的解决方法，借助MEMS(微机电系统)技术常用的牺牲层技术理念，将全局互连的导线通过牺牲层技术镂空，然后再次填充低k介质材料(聚酰亚胺或者是含氟的硅酸盐玻璃)，或者干脆悬空工作，构成针对全局互连的超低k三维互连架构。这种互连不但可以将电介质的介电常数大幅度降低到很低水平，而且由于实际上阻断了互连引线之间的联系通道，导体材料的扩散迁移过程将不会发生。
图1本发明所制备的镂空铜互连结构剖视图。
图2本发明制造工艺流程中形成第一层铜线的示意图。
图3本发明制造工艺流程中形成通孔的示意图。
图4本发明制造工艺流程中形成上层铜线的示意图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明的实施例作详细说明本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1本实施例1是在以下实施条件和技术要求条件下实施的(1)掩膜电镀，形成图形化的铜柱子。参见图2，将清洗干净的硅衬底1于180℃烘烤半小时以增强胶和衬底的结合力，再甩胶光刻，采用化学气相沉积或溅射法沉积20nm厚的阻挡层4，阻挡层是氮化钽(TaN)，用丙酮去胶，借助liftoff(剥离)技术使阻挡层图形化，接着磁控溅射110nm厚的CrCu种子层2，再光刻，形成沟槽，在沟槽里电镀铜线3。接着丙酮去胶，以铜柱为掩膜，用干法等离子体刻蚀去除底膜，形成分立绝缘的铜线。若合理控制物理刻蚀条件，则铜柱的损失基本可以忽略，直接以铜柱为掩膜来刻蚀底膜是可行的。刻蚀具体条件是本底真空2.0*10-6mbar，工作压力0.02mbar，刻蚀气体高纯氩气，流量70sccm，功率750W。然后填充牺牲层5，牺牲层是磁控溅射的氧化铝，溅射氧化铝条件为本底真空2.0×10-4Pa，溅射气压2.67Pa，功率4KW。研磨抛光表面并露出铜线，再溅射种子层。
(2)参见图3，光刻形成通孔图形，再电镀通孔6，去胶，同步骤1中干法等离子体刻蚀底膜2。接着磁控溅射填充氧化铝牺牲层5，然后研磨抛光使表面平坦化，露出铜，再溅射种子层。
(3)参见图4，光刻电镀上层铜线，溅射7保护层(caplayer)W，溅射条件为本底真空5×10-5Pa，流量30sccm，功率100W。去胶，物理刻蚀底膜。
(4)去除牺牲层5。当牺牲层是氧化铝时，置于水浴加热(60℃)的浓磷酸中，去除氧化铝；得到镂空的铜互连镂空结构，见图1，为镂空铜互连结构的示意图，其中1是单面氧化的硅衬底，2是种子层，3是铜线，4是阻挡层，5是牺牲层，6是铜通孔，7是外面保护层W。
从本实施例可以看出，通过掩膜电镀及牺牲层技术形成的铜互连镂空结构，有效介电常数为1.14，与气隙互连结构以及传统的互连结构相比，大大降低了全局互连延迟的影响；而且相比大马氏革工艺中形成气隙的互连结构而言，工艺简单成本低。
实施例2本实施例2是在以下实施条件和技术要求条件下实施的(1)同实施例1中相应步骤(1)，形成分立的图形化的铜线，参见图2。不同的是溅射TaN阻挡层厚度为30nm，种子层厚度为90nm。再填充聚酰亚胺(PI)作为牺牲层，牺牲层的厚度与铜线高度相当。填充聚酰亚胺采用旋涂法，需要选择合适固化温度(150℃)，保证后续抛光时有一定的强度，而且要防止后面干法刻蚀底膜时温度升高导致聚酰亚胺变性而难以去除。具体是用程控烘箱，从室温缓慢升温到90℃，保温1h，再0.5h升到130℃，保温0.5h，最后1h升到150℃，保温1h。接着研磨抛光，再在平坦的表面溅射种子层。
(2)同实施例1相应步骤(2)形成分立绝缘的通孔图形，参见图3。注意丙酮去胶时要快速去胶，因为去胶时间太长，丙酮会使下面的PI变性。再旋涂填充聚酰亚胺，研磨抛光，再溅射同上种子层。
(3)同实施例1相应步骤(3)再次电镀上层铜柱子并重复后续工艺，参见图4。
(4)去除牺牲层5。用稀NaOH溶液去除聚酰亚胺，得到镂空的铜互连镂空结构。(或将浓磷酸放在水浴锅中加热到70℃，再将互连结构浸泡在浓磷酸中以去除牺牲层，形成全局互连铜镂空结构)参见图1，为镂空铜互连结构的示意图。
从本实施例可以看出，通过掩膜电镀及牺牲层技术形成的铜互连镂空结构，有效介电常数为1.21，与气隙互连结构以及传统的互连结构相比，大大降低了全局互连延迟的影响；而且相比大马氏革工艺中形成气隙的互连结构而言，工艺简单成本低。
实施例3本实施例3是在以下实施条件和技术要求条件下实施的
(1)在沟槽里电镀铜线之前的步骤都与实施例1相应步骤相同，不同的是溅射TaN阻挡层厚度为50nm，种子层厚度为70nm，而且第一层铜线镀完后先不去底膜，即此时铜线之间不是互相绝缘的。后续工艺是在胶上直接套刻电镀通孔，因此这里省去了刻底膜、研磨抛光及溅射底膜等步骤。
(2)同实施例1相应步骤(2)，但第一层铜线上面不需要溅射底膜。甩胶平坦化，光刻形成通孔图形，电镀通孔，丙酮去胶，直接以铜柱为掩膜，干法刻蚀底膜，形成分立绝缘的铜线和通孔图形。甩光刻胶作为牺牲层，120℃烘烤以增强强度防止后续抛光时胶粘连而被揭起。研磨抛光表面并露出铜线，再溅射70nm厚度的种子层。参见图3。
(3)同实施例1相应步骤(3)，光刻电镀上层铜线，溅射保护层(caplayer)W，丙酮去上层光刻胶，干法刻蚀底膜。与实施例1区别是，这里底膜较薄(厚度为70nm)，刻蚀底膜时功率要低，所需时间也短，以防止光刻胶由于刻蚀底膜时温度升高而变性。参见图4。
(4)去除牺牲层。由于下层光刻胶经过高温烘烤，丙酮是不易去除的，可以用温热的10％NaOH溶液去除光刻胶，得到镂空的铜互连镂空结构。参见图1，为镂空铜互连结构的示意图。
从本实施例可以看出，通过掩膜电镀及牺牲层技术形成的铜互连镂空结构，有效介电常数为1.25，与气隙互连结构以及传统的互连结构相比，大大降低了全局互连延迟的影响，而且工艺简单成本低。
权利要求
1.一种全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤(1)掩膜电镀，形成图形化的铜柱子首先在清洗干净的单面氧化硅衬底上光刻，再采用磁控溅射法沉积20nm～50nm的阻挡层，丙酮去胶，形成图形化的阻挡层；接着再溅射70nm～110nm厚度的种子层，光刻，在有阻挡层的上方电镀铜柱子去除光刻胶，干法刻蚀去除底膜，形成分立的铜线图形；(2)形成互相绝缘的分立通孔图形在分立的铜线间填充牺牲层，研磨抛光使表面平坦化并露出铜线；溅射种子层，再光刻形成通孔图形，以光刻胶为掩膜电镀通孔，去胶；以铜为掩膜，同上用干法刻蚀去除通孔之外的底膜，形成互相绝缘的分立通孔图形；(3)再次电镀上层铜柱子在分立的通孔图形间再次填充牺牲层，研磨抛光至露出铜通孔，再溅射种子层，光刻形成上层沟槽，在沟槽里电镀上层铜柱子，铜柱高度与胶持平，再溅射上层保护层；(4)形成镂空互连结构用丙酮去光刻胶，干法刻蚀去除底膜，去除牺牲层，形成全局互连铜镂空结构。
2.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的阻挡层，是指能阻挡金属扩散并与介质层具有较好粘结性的金属层，可选择钽(Ta)、氮化钽(TaN)或氮化钨钽(TaWN)。
3.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的种子层，是指磁控溅射沉积的CrCu薄膜，其中铬作为粘结层。
4.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的干法刻蚀去除底膜，具体条件是本底真空2.0*10-6mbar，工作压力0.02mbar，刻蚀气体高纯氩气，流量70sccm，功率750W。
5.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的填充牺牲层，若牺牲层是磁控溅射的氧化铝薄膜，则溅射氧化铝条件为本底真空2.0×10-4Pa，溅射气压2.67Pa，功率4KW；若牺牲层是聚酰亚胺，则是通过旋涂填充，具体条件是从室温缓慢升温到90℃，保温1h，再0.5h升到130℃，保温0.5h，最后1h升到150℃，保温1h。
6.如权利要求1或5所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的填充牺牲层，其牺牲层是指磁控溅射的氧化铝薄膜或旋涂的聚酰亚胺层。
7.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的溅射上层保护层，其溅射条件为本底真空5×10-5Pa，流量30sccm，功率100W。
8.如权利要求1或7所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的上层保护层，其材料是磁控溅射的钨。
9.如权利要求1所述的全局互连铜镂空结构的制造方法，其特征是，所述的去除牺牲层，是指若牺牲层是氧化铝时，采用水浴加热浓磷酸去除牺牲层；牺牲层是聚酰亚胺时，采用温热的稀氢氧化钠溶液去除牺牲层。
全文摘要
一种全局互连铜镂空结构的制造方法，属于集成电路金属互连多层结构的制造方法。包括如下步骤(1)形成图形化的阻挡层，溅射种子层，光刻，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子；(2)刻蚀底膜，填充牺牲层，研磨抛光，溅射种子层，光刻电镀，去胶，刻蚀底膜，形成互相绝缘的分立通孔图形；(3)同2，填牺牲层，研磨抛光并溅射种子层，光刻，再次电镀上层铜柱子；(4)形成镂空互连结构。本发明使全局互连导线通过牺牲层技术镂空，这种互连不但可以将电介质的介电常数大幅度降低到很低水平，而且由于实际上阻断了互连引线之间的联系通道，避免导体材料的扩散迁移。
文档编号H01L21/70GK101060096SQ200710040469
公开日2007年10月24日 申请日期2007年5月10日 优先权日2007年5月10日
发明者张丛春, 杨春生, 丁桂甫, 刘兴刚, 张楷亮 申请人:上海交通大学