专利名称：图像传感器及其形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及图像传感器及其形成方法。
背景技术：
目前电荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的实用化固态图 图像传感器件，它具有读取噪声低、动态范围大、响应灵敏度高等优点。但是 CCD同时具有难以与主流的互补金属氧化物半导体(Complementary - Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技术相兼容的缺点，即以CCD为基础的图 像传感器难以实现单芯片 一体化。而CMOS图像传感器(CMOS Image sensor, CIS)由于采用了相同的CMOS技术，可以将像素单元阵列与外围电路集成在 同一芯片上，与CCD相比，CIS具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易 于控制以及平均成本低的优点。
通常，CMOS图像传感器包括至少一个具有光敏感区域的像素单元。每个 像素单元包括形成于光敏感区域的光敏感元件和至少一个晶体管。当有光线 入射到光敏区域比如表面定扎(PIN)的光电二极管区域上，光电二极管中积 累由于入射光产生的光电子电荷。晶体管控制将光电子电荷的转换成电信号 输出。
现有技术的光电二极管区域参照图1A加以说明，在p型半导体衬底101上 形成有场氧化层102用于器件隔离。场氧化层102可以采用局部氧化硅 (LOCOS)形成，或者采用浅沟槽隔离(STI)方法形成。然后，在场氧化层
元的互相干护C。参照图1B，在半导体衬底101上形成离子注入掩模版(未示出)以在p型
半导体衬底101上形成开口暴露出光电二极管区域3a和3b,然后进行第一离子 注入以形成n型第一掺杂阱104。然后，进行高剂量低能量的第二离子注入以 在第一掺杂阱104上半导体衬底101表面以下形成p型的第二掺杂阱105。然后， 将半导体衬底101进行退火，以便使注入的第一掺杂阱104和第二掺杂阱105进 行扩散。形成第二掺杂阱105的目的为形成定扎表面电荷的光电二极管。每个 光电二极管包括p型的第二掺杂阱105 、 n型的第 一掺杂阱104以及n型的第 一掺 杂阱104以下的p型半导体衬底101。
然而，采用上述技术形成的图像传感器的 一个致命缺陷是相邻像素单元 的光电二极管之间产生的漏电流，尽管电荷阻挡层103位于器件隔离层102以 下，由于第一掺杂阱104是通过低剂量高能量注入形成，注入深度比较深，产 生的漏电流不能被有效阻止。入射到相邻像素单元的光线由于互连金属线 (interconnect step height)的遮光会引入异常信号；同时，相邻像素单元的漏 电流引入了较大干扰信号，降低了图像传感器的信噪比。
为此，专利号为6545302的美国专利公开了一种图像传感器，参照图2， 该发明的图像传感器包括第一像素单元和第二像素单元，每个像素单元包括 具有第一导电类型的半导体衬底301和形成于半导体衬底301中的器件隔离层 302;形成于器件隔离层302之下的电荷阻挡层303;形成于第一像素单元和第 二像素单元的光电二极管区域和器件隔离层302之间的深沟槽305;形成于半 导体衬底301表面的第一像素单元的光电二极管区域的具有第一导电类型的 第一掺杂阱306;以及在深沟槽305内的绝缘层311 (insulating member);以 及形成于半导体衬底301中的位于第一掺杂阱306之下的具有第二导电类型的 第二掺杂阱308。
上述专利采用深沟槽把相邻像素单元的光电二极管区域进行隔离，以阻 止漏电流，防止相邻像素单元之间产生干扰信号。但是采用上述技术，由于深沟槽和器件隔离层并行存在相邻光电二极管区域之间，减小了光电二极管 的有效面积，因此像素单元对光的响应速度和质量都会下降而影响像素单元 的性能。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术中位于相邻像素单元的光电二极管之间的 深沟槽与器件隔离层并排，减小了光电二极管的有效面积，使得像素单元对 光的响应速度和质量都会下降而影响像素单元的性能。
为解决上述问题，本发明提供一种图像传感器，包括具有第一导电类 型的半导体村底，所述半导体衬底包括第 一像素单元区域和第二像素单元区 域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；位于半导体衬底中的、第一像 素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间的 器件隔离层；位于光电二极管区域具有第二导电类型的第一掺杂阱，所述第 二导电类型与第一导电类型相反；位于半导体村底表面下第一掺杂阱上的具 有第一导电类型的第二掺杂阱；在半导体村底中还形成有深沟槽，所述深沟 槽贯穿器件隔离层，所述深沟槽具有底部和侧壁、填充于深沟槽的底部和侧 壁的第 一绝缘层，所述深沟槽底部位于第 一掺杂阱之下。
所述深沟槽环绕第 一像素单元区域和第二像素单元区域。
所述深沟槽的宽度为0.15至0.5微米，深度为4至7微米。
所述第一绝缘层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者其组合构成。
位于半导体村底中器件隔离层下区域还形成有电荷阻挡层，所述深沟槽 贯穿电荷阻挡层，所述电荷阻挡层具有第一导电类型。
所述电荷阻挡层位于隔离层底部和第一掺杂阱的底部之间。 在每个像素单元区域的光电二极管区域还形成有第三掺杂阱，所述第三掺杂阱位于深沟槽之下，所述第三掺杂阱具有第 一导电类型。
所述器件隔离层为局域氧化(LOCOS)形成的场氧化层或者为浅沟槽隔
离(STI)。
相应地，本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括提供具有第一 导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第 一像素单元区域和第二像素 单元区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；在半导体衬底中、第一 像素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间 形成器件隔离层；在半导体衬底中形成深沟槽，所述深沟槽贯穿器件隔离层， 所述深沟槽具有底部和侧壁，所述深沟槽底部位于第一掺杂阱之下；在深沟 槽的底部和侧壁形成第 一绝缘层以填充深沟槽；在光电二极管区域形成具有 第二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；在半 导体村底表面下第一"^参杂阱上形成具有第 一导电类型的第二掺杂阱；将半导 体衬底进行退火使第一掺杂阱和第二掺杂阱内的掺杂离子进行扩散均匀。
所述深沟槽环绕第一像素单元区域和第二像素单元区域。
所述深沟槽的宽度为0.15至0.5微米，深度为4至7微米。
所述第一绝缘层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者其组合构成。
形成器件隔离层步骤之后还包括在半导体衬底中器件隔离层下区域形成 电荷阻挡层，所述深沟槽贯穿电荷阻挡层，所述电荷阻挡层具有第一导电类 ^ 。
所述电荷阻挡层位于隔离层底部和第 一掺杂阱底部之间。
形成第二掺杂阱之后还包括在每个像素单元区域的光电二极管区域形成 第三掺杂阱，所述第三掺杂阱位于深沟槽之下，所述第三掺杂阱具有第一导 电类型。所述器件隔离层为局域氧化(LOCOS)形成的场氧化层或者为浅沟槽隔 离(STI)。
与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明通过釆用深沟槽对像素 单元之间的光电二极管区域进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电 二极管区域产生的漏电流；同时由于深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位于光 电二极管的第一掺杂阱之下，因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电 二极管性能得到保证。
图1A至1B是现有技术的形成CM0S图像传感器的结构示意图2是另一现有技术的形成CMOS图像传感器的结构示意图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F是本发明的形成CMOS图 像传感器结构示意图 一个实施例；
图3B，是本发明的一个实施例的形成深沟槽结构的俯视图。
具体实施例方式
本发明提供 一种采用沟槽隔离相邻光电二极管区域的图像传感器。本发 明采用深沟槽对图像传感器进行隔离，且深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位 于光电二极管的第一掺杂阱之下，能够有效地阻止相邻像素单元区域的光电 二极管区域产生的漏电流，同时，没有减小光电二极管区域面积，使得光电 二极管性能得到保证。
本发明首先提供一种图像传感器的形成方法，包括提供具有第一导电 类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一像素单元区域和第二像素单元 区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；在半导体衬底中、第一像素 单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间形成器件隔离层；在半导体衬底中形成深沟槽，所述深沟槽贯穿器件隔离层，所
述深沟槽具有底部和侧壁，所述深沟槽底部位于第一掺杂阱之下；在深沟槽 的底部和侧壁形成第一绝缘层以填充深沟槽；在光电二极管区域形成具有第 二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；在半导 体衬底表面下第一掺杂阱上形成具有第一导电类型的第二掺杂阱；将半导体 衬底进行退火使第 一掺杂阱和第二掺杂阱内的掺杂离子进行扩散均匀。
下面参照附图对本发明的图像传感器的形成方法加以详细说明。
首先，参照附图3A，提供具有第一导电类型的半导体衬底201，所述半 导体衬底201可以为硅、绝缘体上硅薄膜(SOI)、砷化镓等，本实施例中的 半导体衬底201为硅，所属第一导电类型可以为p型或者n型，本实施例中 的半导体衬底201为p型。
把所述半导体衬底201包括第一像素单元区域I和第二像素单元区域II, 每个像素单元区域具有光电二极管区域；在半导体衬底201中第一像素单元 区域I的光电二极管区域和第二像素单元区域II的光电二极管区域之间形成 器件隔离层202。所述器件隔离层202可以采用局部氧化硅(LOCOS)形成， 或者采用浅沟槽隔离(STI)方法形成。
然后，在半导体衬底201中器件隔离层202下区域形成电荷阻挡层203， 所述电荷阻挡层203具有第一导电类型，即本实施例中的p型。形成所述电 荷阻挡层203的目的为阻挡相邻像素单元的光电二极管区域产生的浮动电荷， 产生漏电流而相互干扰。形成所述电荷阻挡层203的工艺为在半导体衬底 201上形成第一光刻胶层，暴露处器件隔离层202区域，向器件隔离层202区 域进行p型离子注入，所述p型离子注入的离子为B离子，注入的剂量范围 为l.Ox 10E12至5.0x 10E13cm-2,注入的能量范围为200至800KeV。
然后，参照图3B，为在半导体衬底201中形成深沟槽204结构示意图，所述深沟槽204贯穿器件隔离层202和电荷阻挡层203，本实施例的贯穿可以 在器件隔离层202所在区域的任何位置，原则上不会超出器件隔离层202所 在区域，即不会造成每个光电二极管区域面积的浪费均在本发明的保护范围 之内，本实施例中的深沟槽204位于器件隔离层202所在区域的中心位置， 在此不应过多限制本发明的保护范围。所述深沟槽204具有底部和侧壁。所 述深沟槽204的深度范围为4至7微米，深沟槽的宽度为0.15至0.5微米。 所述深沟槽204环绕第一像素单元区域I和第二像素单元区域II，具体请参照 图3B，。本实施例的深沟槽204贯穿于器件隔离层202和电荷阻挡层203，不 会造成光电二极管区域面积的浪费，同时防止了相邻像素单元的光电二极管 之间产生漏电 流o
参照图3C，形成深沟槽204之后，在深沟槽204的底部、侧壁形成第一 绝缘层205以填充深沟槽204，所述第一绝缘层205可以为氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅等绝缘材料。
参照图3D，在半导体衬底201中光电二极管区域进行第一n型离子注入， 形成第一掺杂阱209,所述第一掺杂阱209具有第二导电类型，所述第二导电 类型与第一导电类型相反，在本实施例中，第二导电类型为n型，作为光电 二极管的一极。所述第一n型离子注入的离子为As离子或者P离子，第一n 型离子注入的能量范围为80至600KeV;剂量范围为5.0xlOE11至8.0 x 10E12cm-2。所述隔离阱204的底部位于第一掺杂阱209之下深度范围为3至 5微米。
参照图3E,在半导体衬底201表面下第一掺杂阱209上形成第二掺杂阱 210，所述第二掺杂阱210具有第一导电类型。形成所述第二掺杂阱210为通 过第二p型离子注入形成，第二p型离子注入的离子为B离子，注入的剂量 范围为l.Ox 10E12至5.0x 10E13cm-2,能量范围为10至100KeV。形成第二 掺杂阱210的目的为定扎光电二极管表面的可动电荷，防止暗电流的产生。参照3F,在每个像素单元区域的光电二极管区域形成第三掺杂阱208, 所述第三掺杂阱208位于深沟槽204之下。所述第三掺杂阱208具有第一导 电类型，即p型。形成所述第三掺杂阱208的目的为配合深沟槽实现更好的 隔离作用。形成所述第三掺杂阱208工艺为向半导体衬底201中进行第三p 型离子注入，所述p型离子为B离子，所述第三p型离子注入能量为l至5MeV; 所述第三p型离子注入的剂量为2.5 x 10E12至2.5 x 10E13cm—2。
第一n型离子注入、第二p型和第三p型离子注入之后，将半导体衬底 进行退火，以便使第一掺杂阱209、第二掺杂阱210和第三掺杂阱208内的注 入的离子进行扩散均匀。
基于上述工艺实施之后，形成本发明的一种图像传感器，参照图3F,包 括具有第一导电类型的半导体衬底201,所述半导体衬底201分为第一像素 单元区域I和第二像素单元区域II ，每个像素单元区域具有光电二极管区域； 位于半导体衬底201中的、第 一像素单元区域I的光电二极管区域和第二像素 单元区域II的光电二极管区域之间的器件隔离层202;位于光电二极管区域 具有第二导电类型的第一掺杂阱209，所述第二导电类型与第一导电类型相 反；位于半导体衬底201表面下第一掺杂阱209上的具有第一导电类型的第 二掺杂阱210;在半导体衬底201中还形成有深沟槽204，所述深沟槽204贯 穿器件隔离层202,所述深沟槽204具有底部和侧壁；填充于深沟槽204的底 部和侧壁的第一绝缘层205,所述深沟槽204底部位于第一掺杂阱之下。
本发明的图像传感器通过采用深沟槽对像素单元之间的光电二极管区域 进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电二极管区域产生的漏电流。 同时由于深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位于光电二极管的第一掺杂阱之下， 因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电二极管性能得到保证。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改， 因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种图像传感器，包括具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一像素单元区域和第二像素单元区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；位于半导体衬底中的、第一像素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于光电二极管区域具有第二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；位于半导体衬底表面下第一掺杂阱上的具有第一导电类型的第二掺杂阱；其特征在于，在半导体衬底中还形成有深沟槽，所述深沟槽贯穿器件隔离层，所述深沟槽具有底部和侧壁、填充于深沟槽的底部和侧壁的第一绝缘层，所述深沟槽底部位于第一掺杂阱之下。
2. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽环绕第一像 素单元区域和第二像素单元区域。
3. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽的宽度为0.15 至0.5微米，深度为4至7微米。
4. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一绝缘层为氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者其组合构成。
5. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，位于半导体衬底中器件 隔离层下区域还形成有电荷阻挡层，所述深沟槽贯穿电荷阻挡层，所述电 荷阻挡层具有第一导电类型。
6. 根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述电荷阻挡层位于隔 离层底部和第 一掺杂阱的底部之间。
7. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在每个像素单元区域的 光电二极管区域还形成有第三掺杂阱，所述第三掺杂阱位于深沟槽之下，所述第三掺杂阱具有第 一导电类型。
8. 根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所迷器件隔离层为局域氧化(LOCOS)形成的场氧化层或者为浅沟槽隔离(STI)。
9. 一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括 提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体村底包括第一像素单元区域和第二像素单元区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；在半导体衬底中、第 一像素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间形成器件隔离层；在半导体衬底中形成深沟槽，所述深沟槽贯穿器件隔离层，所述深沟槽具有底部和侧壁，所述深沟槽底部位于第一掺杂阱之下；在深沟槽的底部、侧壁形成第一绝缘层以填充深沟槽；在光电二极管区域形成具有第二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类 型与第一导电类型相反；在半导体衬底表面下第 一掺杂阱上形成具有第 一导电类型的第二掺杂阱；将半导体衬底进行退火使第一掺杂阱和第二掺杂阱内的掺杂离子进行扩散均匀。
10. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述深沟槽 环绕第一像素单元区域和第二像素单元区域。
11. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述深沟槽 的宽度为0.15至0.5微米，深度为4至7微米。
12. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一绝 缘层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者其组合构成。
13. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成器件隔 离层步骤之后还包括在半导体衬底中器件隔离层下区域形成电荷阻挡层， 所述深沟槽贯穿电荷阻挡层，所述电荷阻挡层具有第 一导电类型。
14. 根据权利要求13所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述电荷阻挡层位于隔离层底部和第 一掺杂阱底部之间。
15. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第二掺 杂阱之后还包括在每个像素单元区域的光电二极管区域形成第三掺杂阱， 所述第三掺杂阱位于深沟槽之下，所述第三掺杂阱具有第一导电类型。
16. 根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述器件隔 离层为局域氧化(LOCOS)形成的场氧化层或者为浅沟槽隔离(STI)。
全文摘要
一种图像传感器，包括位于相邻像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于半导体衬底表面下光电二极管区域的具有第一导电类型的第一掺杂阱及位于第一掺杂阱下具有第二导电类型的第二掺杂阱；在半导体衬底中还形成贯穿器件隔离层的深沟槽，所述深沟槽的底部位于第二掺杂阱之下。本发明通过采用深沟槽对像素单元之间的光电二极管区域进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电二极管区域产生漏电流；同时由于深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位于光电二极管的第一掺杂阱之下，因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电二极管性能得到保证。
文档编号H01L21/822GK101304036SQ20071004042
公开日2008年11月12日 申请日期2007年5月8日 优先权日2007年5月8日
发明者霍介光 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司