技术编号:7227991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列结构的制备方法,属于微电子学领域。 背景技术相变存储器(PCRAM)是一种利用相变材料在非晶和多晶两种状态下具有不同电阻值的特性实现信 号存储的新型存储器件,PCRAM具有体积小、驱动电压低、功耗小、读写速度快,非易挥发的特点,与 目前常用的闪存(FLASH)、动态随机存储器(DRAM)及铁点存储器(FeRAM)相比,竞争优势明显, 同时具有耐髙低温、抗辐射、抗振动的特性,因此,PCRAM无论是在民用领域还是在国防领域...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。